BSC190N15NS3 G 全球供应商 全球供应商 (6家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -474立即发货1RMB ¥税9.5489.5489.5489.5489.548购买 得捷 美国 14218 立即发货 1 RMB ¥ ...
BSC190N15NS3 G-VB MOSFET也适用于高电压的消费电子和通信设备中。例如,在高电压的电源管理模块中,能够提供稳定的开关控制和电流管理,提升设备的效率和稳定性。 这些应用示例展示了BSC190N15NS3 G-VB MOSFET在高电压、高电流和功率管理领域中的广泛适用性和关键作用。
Sales Product Name BSC190N15NS3 G OPN Info BSC190N15NS3GATMA1 Product Status active Infineon Package name PG-TDSON-8 Standard Package name SuperSO8 5x6 Order online Buy online Completely lead free no Halogen free yes RoHS compliant yes Packing Size 5000 Packing Type TAPE & REEL Moisture...
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BSC190N15NS3 G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装。它采用Trench技术,设计用于处理中高电压和电流应用。具有高电压耐受能力和相对较低的导通电阻,使其适合于各种功率管理和开关应用。 ### 二、详细参数说明 - **型号**:BSC190N15NS3 G-VB ...
BSC190N15NS3 G 由Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 BSC190N15NS3 G 价格参考￥ 19.7517 。 Infineon BSC190N15NS3 G 封装/规格: -, MOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3。你可以下载 BSC190N15NS3 G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 ...
唯样商城为您提供Infineon设计生产的BSC190N15NS3 G 元器件,主要参数为:BSC190N15NS3GATMA1_150V 50A 19mΩ@50A,10V ±20V 125W -55°C~150°C N-Channel TDSON-8-1,BSC190N15NS3 G库存充足,购买享优惠!
BSC190N15NS3 G.pdf RoHs不符合RoHs无铅/符合RoHs 规格信息 功率2.5W(Ta),104W(Tc)- 宽度-5.15mm Rds On(Max)@Id,Vgs18 毫欧 @ 9.6A,10V19mΩ@50A,10V 上升时间-53ns Qg-栅极电荷-31nC 栅极电压Vgs±20V±20V 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs10V- ...
价格 ¥ 0.10 起订数 100个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 BSC190N15NS3 G、 INFINEON 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON 批号: 两年内 数量: 5000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体:...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 BSC190N15NS3 G、 HAMOS汉姆、 TDSON-8 商品图片 商品参数 品牌: HAMOS汉姆 封装: TDSON-8 批号: 20+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 125C 最小电源电压...