BSC190N15NS3 G-VB MOSFET也适用于高电压的消费电子和通信设备中。例如,在高电压的电源管理模块中,能够提供稳定的开关控制和电流管理,提升设备的效率和稳定性。 这些应用示例展示了BSC190N15NS3 G-VB MOSFET在高电压、高电流和功率管理领域中的广泛适用性和关键作用。
BSC190N15NS3 G 与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性,如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。 特征描述 优异的开关性能 世界较低的 (R Ds(on))...
BSC190N15NS3 G Infineon (英飞凌) MOS管 INFINEON BSC190N15NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V查看详情 TDSON-8 12周 2011年 ¥3.197 数据手册(6) 器件3D模型 规格参数 更多代替型号 反馈错误 by FindIC.com...
联系人:朱先生 张小姐 电话:0755-22929859/13530907567 手机:13530907567微信同号 Email:2581021098@qq.com MSN: QQ:2581021098 操作: 产品详细信息 产品名称:晶体管 MOSFET :BSC190N15NS3 G产品型号:BSC190N15NS3 G 产品类别:晶体管-产品规格:TDSON-8
制造商产品型号:BSC190N15NS3 G 制造商:英飞凌(Infineon Technologies) 描述:MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 系列:OptiMOS? FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):150V 电流- 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc) ...
唯样商城为您提供Infineon设计生产的BSC190N15NS3 G 元器件,主要参数为:BSC190N15NS3GATMA1_5.9mm TDSON-8-1 ,BSC190N15NS3 G库存充足,购买享优惠!
数据表 BSC190N15NS3 G.pdf RoHs 否 无铅/符合RoHs 规格信息 功率 2.5W(Ta),104W(Tc) - 宽度 - 5.15mm Rds On(Max)@Id,Vgs 18 毫欧 @ 9.6A,10V 19mΩ@50A,10V 上升时间 - 53ns Qg-栅极电荷 - 31nC 栅极电压Vgs ±20V ±20V 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V - 正向跨导 - 最...
Place of Origin:ORIGINAL;Brand Name:ORIGINAL;Model Number:standard;Application:Standards;Product Completion Type:Standards;Series:Standards;Features:Standards;Mounting Type:standard;Description:standard;Manufacturing Date Code:Standards;|Alibaba.com
制造商产品型号:BSC190N15NS3 G 制造商:英飞凌半导体(Infineon) 描述:MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 系列:OptiMOS? FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):150V 电流- 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc)
BSC190N15NS3 G The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on)of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts ...