BSZ160N10NS3 G 英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。 特征描述 优异的开关性能 世界较低的 (R Ds(on)) 极低的 Qg 和 Qgd...
BSZ160N10NS3 G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为DFN8(3x3)。该器件具有极低的导通电阻和高漏极电流能力,适用于需要高效率和高开关速度的应用。最大漏源电压为100V,栅源电压为±20V,导通电阻为10mΩ(在VGS=10V时)。其最大连续漏极电流为50A,使其非常适合用于高功率应用,如电源管理...
BSZ160N10NS3 G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为DFN8(3x3)。该器件具有极低的导通电阻和高漏极电流能力,适用于需要高效率和高开关速度的应用。最大漏源电压为100V,栅源电压为±20V,导通电阻为10mΩ(在VGS=10V时)。其最大连续漏极电流为50A,使其非常适合用于高功率应用,如电源管理...
型号 BSZ160N10NS3G 鑫河电子科技(香港)有限公司 东莞鑫沐电子有限公司 专业为广大厂家客户提供电子元件配套服务 东莞鑫沐电子有限公司成立于2010年,是原厂授权的正规代理商。专业代理及销售贴片电容、贴片电阻、贴片电感、贴片磁珠、高压贴片电容、贴片铝电解电容、贴片二极管、贴片三极管、整流桥、桥堆、天线、滤波器...
唯样商城为您提供Infineon设计生产的BSZ160N10NS3 G 元器件,主要参数为:BSZ160N10NS3GATMA1_100V 40A 14mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C,BSZ160N10NS3 G库存充足,购买享优惠!
BSZ160N10NS3 G Infineon datasheet PDF, 37 pages, view BSZ160N10NS3 G User Reference Manual Guide & Application Note online, Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8Pin TSDSON T/R.
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 BSZ160N10NS3 G、 INFINEON 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON 批号: 21+ 数量: 10000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TSDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管...
型号CSD19537Q3BSZ160N10NS3 G 唯样编号G-CSD19537Q3A-BSZ160N10NS3 G 制造商TIInfineon Technologies 供应商Arrow唯样自营 分类功率MOSFET功率MOSFET 描述MOSFET N-CH 1V 9.7A/5A 8VSON 数据表 CSD19537Q3.pdf BSZ160N10NS3G.pdf RoHs无铅/符合RoHs无铅/符合RoHs ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 BSZ160N10NS3 G、 INFINEON 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON 批号: 22+ 数量: 10000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TSDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管...
唯样编号 C-CSD19537Q3 A-BSZ160N10NS3 G 制造商 TI Infineon Technologies 供应商 海外代购M 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET N-CH 1V 9.7A/5A 8VSON 数据表 CSD19537Q3.pdf BSZ160N10NS3G.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ 上...