由于脉冲模式下的交替刻蚀与钝化过程,Bosch工艺能够实现极高的深宽比,适用于深槽、孔洞等三维结构的精细刻蚀。 2. 垂直刻蚀 由于钝化膜的存在,Bosch工艺可以有效抑制侧向刻蚀,实现近乎垂直的刻蚀剖面,这对于现代微电子器件的小型化和高密度集成至关重要。 3. 高选择性 通过调节刻蚀气体的组成和工艺参数,Bosch工艺能够...
为此，我们引入SF6气体，这种气体能够有效地对底部的钝化层进行蚀刻。【 如何调节工艺参数 】如何确保底部的钝化层能够优先进行反应呢？在Bosch工艺中，我们可以通过精细调节气体流量、蚀刻压力、蚀刻时间以及钝化时间等参数，来达到有效去除底部钝化层的目的，同时确保侧壁的钝化层能够得以保留。此外，ICP-RIE或DRIE机台是...
bosch 在Bosch工艺里,undercut(底切/钻刻)指的是从光刻胶、氧化层这些掩模,往结构层侧壁进行刻蚀的情况,这也是造成线宽变窄的主要原因。它产生的原因主要有下面这些: 掩模材料不一样:不同的掩模材料,在刻蚀的时候对侧壁的保护效果是不一样的。像氧化层这种掩模材料,在刻蚀的时候产生的聚合物比较少,就没办法...
1993年,Robert Bosch提出了一种ICP刻蚀工艺技术,被称作“Bosch工艺”。这种工艺首先采用氟基活性基团进行硅的刻蚀,然后进行侧壁钝化,刻蚀和保护两步工艺交替进行。下图说明了其工艺过程。它是通过交替转换刻蚀气体与钝化气体实现刻蚀与边壁钝化。其中刻蚀气体为SF6,钝化气体为C4F8(八氟环丁烷)。C4F8在等离子体中能够形成...
高深宽比:Bosch工艺能够实现高达几十微米甚至几百微米的深宽比,适用于制造深且直的TSV孔洞。 高精度:通过精确控制刻蚀条件,Bosch工艺能够确保孔洞的垂直度和平滑性,提高TSV的可靠性和性能。 高选择性:Bosch工艺能够选择性地刻蚀硅材料,而不损坏其他材料,确保了TSV结构的完整性和稳定性。 EN...
Bosch工艺的机理 Bosch工艺通常由三个步骤的循环组成，包括硅蚀刻、侧壁与底部钝化，以及底部钝化层的蚀刻，这三个步骤构成一个完整的周期。在每个周期中，深硅刻蚀可能需要进行多次。硅刻蚀是其中的关键步骤之一。在此过程中，仅会蚀刻那些已去除钝化膜的底部的硅。通过通入SF6气体，该工艺能够高效地实现硅的蚀刻。
Bosch工艺参数的描述 1.刻蚀气体:主要采用氟基活性基团进行硅的刻蚀,如SF6。 2.钝化气体:通常使用C4F8(八氟环丁烷)进行侧壁钝化。C4F8在等离子体中能够形成氟化碳类高分子聚合物,沉积在硅表面能够阻止氟离子与硅的反应。 3.刻蚀与钝化转换:刻蚀与钝化每5~10秒转换一次,以交替进行刻蚀和保护。 4.侧壁波纹:这种...
标准bosch工艺原理 一、 Bosch工艺以流程模块化和参数精准控制为核心,车间现场常见精密定位工装与三坐标检测设备协同运作。操作工需要每天对设备的重复定位精度进行三次点检,确保±0.002mm的加工公差达成率 二、 在变速箱壳体加工线,每个工位安装有机器视觉传感器。2020年奔驰工厂改造案例显示:该工序将E形卡簧装配错误率...
常规ICP刻蚀采用纯BOSCH工艺,以一步刻蚀一步钝化的方式工作。这类设备通常在低气压和高气体流量条件下操作,以提供更高的等离子体密度和更好的均匀性。然而,它只能通过调整刻蚀/钝化比例来控制刻蚀角度。而深硅刻蚀机采用优化后的BOSCH工艺,以一步小功率硅刻蚀,一步钝化,一步...
Bosch工艺的关键在于多步骤工艺，用于精确计算硅衬底的蚀刻几何结构。仿真时需设置相应的Multi step参数，以模拟刻蚀过程中的不同阶段。PEGASUS软件仿真：使用PEGASUS软件的FPSM2D和FPSM3D模块进行仿真。这些模块负责模拟物理和化学反应，包括形状表示、单元体积占有率的计算，以及气体分子与固体表面的反应。仿真...