Au-AI键合系统主要失效原因包括与高温有关的Au-Al间化合物生长,键合界面产生柯肯德尔空洞(Kirkendall)。这两种原因均会导致器件引线键合强度下降,键合点接触电阻增大甚至开路失效。 图1.Au-Al键合系统示意图 首先我们介绍第一种失效原因:Au-Al间化合物生长。由于金、铝两者的化学势不同,Au-Al键合系统经高温度贮存
同时由于Kirkendall效应的存在,引起孔洞的形成而造成Au-Al系统失效.结果表明:在Au-Al键合系统中,存在着三种失效模式:HB,BL(Ⅰ)和BL(Ⅱ)型,其中BL(Ⅰ)型是致命失效,造成BL(Ⅰ)型失效的原因是Kirkendall孔洞的存在,一定的金层厚度是形成Kirkendall孔洞的必要条件,造成不同失效模式的原因是由于镀金层厚度的不均匀...
混合集成电路的内引线键合主要有双金属键合和单一金属键合两种形式,其失效模式为键合拉力下降和键合点脱开。键合失效在混合集成电路失效中占比23%,其失效类型及机理有: (1)Au/Al键合界面退化,铝丝与厚膜金导体键合,在高温条件下Au/Al键合界面发生严重退化,导致键合拉力下降。 (2)Au/Cu键合界面退化,铜丝与镀金引线...
超声楔键合 Au -A l和Al-Au界面 I M C 演化 热度: Au-Al键合可靠性及其失效机理研究(理科) 热度: 半导体器件中Au—Al键合失效机理及影响因素研究进展 热度: 相关推荐 基于温冲环境的 Au - A 键合特性研究 。 周继承 1 9严钦云 1 9杨 丹 2 9黄 云 2 < 1. 中南大学物理科学与技术学院湖南...
集成电路失效比例高达75%。在混合集成电路中, Au-Al键合界面大量存在。为了避免电解质类污染物 造成的电化学腐蚀而影响Au-Al键合界面的可靠性, 在实际生产中,我们需要把调试与检验过程也纳入 组装制造流程,严格过程控制要求。 首先,重视芯片组装环境对键合可靠性的影 响。组装需要在净化间进行,严格按照GJB 3139的规...
键合技术--Au-Si MEMS 加速度计的金和硅共晶晶圆键合研究 关于我们：半导体微纳实验室 我们为客户提供晶圆（PI,PET，硅晶圆，玻璃晶圆，SOI晶圆，GaAs衬底，蓝宝石衬底，碳化硅衬底，金刚石衬底），镀膜方式（PVD，cvd,Ald）和材料（Au Cu Ag Pt Al Cr Ti Ni Sio2 Tio2 Ti3O5，Ta2O5。。。），光刻，高精度...
在引线框架的Ni镀层上电镀一层薄的Pd层,作为封装、PCB和可键合表面顶层的保护层 ,钯薄膜层与Au线的月牙形键合和Al线的楔形键合不存在可靠性问题。金线与Pd薄膜层的新月形键合不同于镀银引线框架上的键合,但在更高功率等产品应用中已实现量产
在电流的作用下将会加速这些金属间化合物的形成和生长,导致器件参数漂移,甚至开路而失效,影响产品的长期可靠性。因此抑制au-al之间金属间化合物的形成和长大是提高au-al键合强度和可靠性的重要途径。现有的au-al键合方法中主要通过优化键合参数尽量减少键合时的金属间化合物形成,但是该方法对工艺稳定性的要求很高,而且...
1、Al、Au、Cu焊丝在引线键合中的比较一三种元素的优缺点Al:优点;三者中价格最低、资源丰富; 缺点:电阻率高,热导性能差,机械强度低,难以适应中小功率器件小面积小焊位的生产需要,但可在铝成份中添加1的硅,可增强铝线强度,适应于小直径;焊点大,需要Pad尺寸大,降低了芯片效率。Au:优点:90的封装企业使用金线键合...