XPS结果表明,降低气压有利于减少薄膜中的氧含量,从而使制备的薄膜成分更接近其化学计量比。通过测试AlN薄膜的纳米力学性能表明,在0.30 Pa下制备的薄膜具有最大的硬度和弹性模量。魏秋平张雄伟刘丹瑛李劼周科朝张斗余志明中国有色金属学报:英文版
基于热电子发射模型的拟合分析,处理后肖特基二极管的理想因子由2.3降至2.04,而肖特基势垒高度则从1.56 eV提升至最高1.84 eV。XPS测试结果表明,经退火后Al 2p峰中Al–O组分显著增强,其比例由参照样品的9.17%提升至S1的22.28%和S2的23.24%,表明在AlN表面形成了一层薄型AlOx层,有效钝化了表面缺陷。同时,C–V测试显示...
本研究将表面氮化铝金属(Al(AlN))与Si共沉积,制备了Si-Al(AlN)复合薄膜。与纯Si膜进行对比,对制备的薄膜进行了SEM、XRD、Raman和XPS表征测试,分析了其形貌和结构,并进行电化学测试。 实验结果解析 图1. Si- AI(AlN)复合膜的制备工艺...
结合大气压低温等离子体技术高效节能、设备简单、操作简便、控制性强、产量高等优点,本文采用介质阻挡放电的形式,在大气压环境中对微米AlN填料进行等离子体氟化处理,通过扫描电镜(Scanning Electron Microscope, SEM)、X射线光电子能谱分析(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)、傅里叶红外光谱(Fourier Transform Infrared...
用X射线光电子能谱(XPS)表征了N极性AlN表面化学,以确定在氢氧化钾和氢氧化钾/过氧化氢溶液中蚀刻后铝、氧和氮的摩尔比和结合。所有光谱都符合Voigt轮廓。利用50eV和20eV的能量分别获得了低分辨率的测量扫描和高分辨率的核心水平光谱。 结果和讨论 氮化铝和氮化镓的刻蚀速率 ...
绝缘层/势垒层界面处Ga3d高分辨率扫描拟合结果对应于Ga-N建核心峰,说明介质沉积前的表面等离子体处理减少了界面氧含量,有效移除了低质量的界面氧化层。 图3 (a)AlN/AlGaN/GaN薄膜的XPS组分随深度的变化及(b)界面处Ga3d高分辨XPS分析
表I的最后一列列出了与每个样品在300K下测量的值相匹配的AlxGa1-xN/Al0.85Ga0.15N界面模拟的2DEG密度的表面势垒高度qφB。使用X射线光电子能谱(XPS)技术已经报告了金属极性AlGaN的表面势垒高度随铝组分的增加而增加。有趣的是,对于N极性AlGaN也观察到了类似的趋势。
共溅射磁控溅射法制备AlN：Er薄膜的XPS和PL研究
如题 谢谢大家的帮助！
超薄Al膜和AlN薄膜的光学性质及相关问题的研究