近年来,ALD技术在缩小微电子器件、扩大器件容量方面表现出光明的前景。如场效应晶体管(CMOS)的尺寸要求越来越小,传统的SiO2栅介层由于受厚度限制引起的器件漏电流增加(隧穿电流会随厚度的减少而呈指数增加),需用高介电材料替代。ALD Al2O3具有较大禁带宽度(8.8 eV)、高介电常数(k=8.9)、热化学稳定、Si/Al2O...
(3)14nm及以下:3D FinFET器件结构的引入及更小器件尺寸对薄膜生长的热预算、致密度及台阶覆盖率有更高的要求,使得ALD薄膜生长技术有了更多应用,如ALD-Si3N4作为器件侧壁隔离层以及ALD-SiO2作为子对准硬掩模在双重光刻技术(SADP)及四重光刻技术(SAQP)中得到应用。在长江存储3D NAND产线中,所需的ALD设备数量已...
ALD技术被广泛应用于制备隧道氧化物的沉积,如SiO2和氧化钛(TiO2)等。这些材料具有更好的界面质量和更高的可靠性,可以提高NVM的性能和可靠性。 总之,ALD技术在微电子领域中的应用非常广泛,特别是在制备高质量的二氧化硅薄膜和高介电常数的栅介质薄膜方面。随着微电子技术的...
sio2纳米薄膜ald制备及其厚度标准物质研制 从SiO₂纳米薄膜ALD制备流程以及厚度标准物质研制要点出发,紧扣标准要求进行创作。 SiO₂纳米薄膜ALD制备及其厚度标准物质研制。 在SiO₂纳米薄膜的原子层沉积(ALD)制备过程中,需严格遵循相关标准。对反应腔室进行全面清洁与预处理,确保无杂质残留,依据真空度标准将腔室真空...
ALD Al2O3具有较大禁带宽度(8.8 eV)、高介电常数(k=8.9)、热化学稳定、Si/Al2O3界面稳定、极低的漏电流密度,成功取代SiO2(k=3.9)作为栅极介层。Shang等使用金属-绝缘体-半导体结构测量了ALD Al2O3的电学性能,得到单位面积电容为165nF/cm2、1MV/cm漏电流1nA/cm2。
三、二氧化硅(SiO2) 二氧化硅具有良好的绝缘性和化学稳定性,可用于微电子和光电子器件的封装和绝缘层。在微电子领域,二氧化硅可以用于制备晶体管的栅氧化层。在光电子领域,二氧化硅可以用于制备光纤和光波导等器件。 四、氮化硅(SiN) 氮化硅具有高硬度、高热...
在电子器件制造领域,ALD技术被广泛应用于各种器件的制备中,以实现高性能和稳定性。具体应用包括: 半导体器件:ALD用于制备介电材料薄膜,如氧化铝(Al2O3)和二氧化硅(SiO2),用于电容器、绝缘层和介质等。这些薄膜具有优异的绝缘性能和低介电损耗,可提高器件的性能和可靠性。
ALD技术被广泛应用于制备隧道氧化物的沉积,如SiO2和氧化钛(TiO2)等。这些材料具有更好的界面质量和更高的可靠性,可以提高NVM的性能和可靠性。 总之,ALD技术在微电子领域中的应用非常广泛,特别是在制备高质量的二氧化硅薄膜和高介电常数的栅介质薄膜方面。随着微电子技术的不断发展,ALD技术将继续发挥重要作用,为微...
例如,钨相对于 SiO2 优先沉积在硅上,但仅在几个循环后选择性就会降低。北卡罗来纳州立大学的研究人员通过将氢气掺入钨前体中,成功地将氧化物重新钝化。同样,埃因霍温理工大学的一个小组发现,相对于其他氧化物,SiO2 优先沉积在 SiO2 上仅 10 到 15 个循环。所谓的ABC循环——每5到10个循环添加乙酰丙酮(“抑制...
逻辑电路中 ALD 的作用首现于 High-k 栅介质替代 SiO2栅介质的 High-k 薄膜沉 积，地位强化于 FinFet 与纳米环栅结构的出现，后段铜互连硅通孔深宽比提高， ALD 可在铜互连阻挡层充分发挥作用，晶体管微缩工艺深入发展，ALD 应用节 点大幅增加，扩容市场。 45nm 以下制程及三维晶体管让 ALD 沉积 High-k ...