ALD是化学气相沉积的近亲,最初被大量引入半导体行业,用于氧化铪(高 k)栅极电介质。CVD 和 ALD 本质上都是保形工艺。沉积发生在暴露于前体气体的所有表面上。然而,在ALD 中,反应是自限性的。 该过程的工作原理如下:首先,将前体气体 (precursor gas:A) 引入处理室,并...
例如,相对于SiO 2 ,钨优先沉积在硅上,但仅在几个循环后选择性就会降低。北卡罗来纳州立大学的研究人员通过将氢掺入钨前体中,成功地重新钝化了氧化物。同样,阿贡国家实验室的一个小组发现,相对于其他氧化物,SiO2优先沉积在 SiO 2上的时间仅为 10 到 15循环。所谓的“ABC”循环 - 每 5 到 10 个循环添加...
A method for defining thin film layers on a surface of a substrate includes exposing the surface of the substrate to a first precursor via a first plasma to allow the first precursor to be absorbed by the surface of the substrate. A second precursor that is different from the first ...
同样,阿贡国家实验室的一个小组发现,相对于其他氧化物,SiO2优先沉积在 SiO 2上的时间仅为 10 到 15循环。所谓的“ABC”循环 - 每 5 到 10 个循环添加乙酰丙酮(“前体 C”)作为抑制剂 - 恢复了选择性。 替代地或附加地,可以使用原子层蚀刻(ALE)来去除不需要的材料。ALE 的操作步骤与 ALD 相同。周期的前...
AL2O3沉积用PE-ALD设备介绍
方式:Plasma & Thermal ALD 优势:标准自动加载锁定集成、加热、薄箔ALD trap 薄膜:氮化物AlN, Hf3N4, SiN, TiN, GaN, InN, AlGaN, BN,NbN, NbTiN, VN, TiVN, WN, WCN, TaN, CoN金属Ni, Pt, Ru氧化物Al2O3, HfO2 , Nb2O5, NiO, SiO2, Ta2O5,TiO2, ZnO, ZrO2, Li2O, LiPON, La2O3, Sn...
CeO2SiO2,La2O3,SrTiO3,BaTiO3In2O3,In2O3:Sn,In2O3:F,In2O3:Zr,SnO2,SnO2:Sb,ZnO:Al,Ga2O3,NiO,CoOYBaCu3OLaCoO3,LaNiO3氟化物CaF2,SrF2,ZnF2元素Si,Ge,Cu,Mo其他La2S3,PbS,In2S,CuGaS2,SiC3.5ALD的前驱体分类前驱体II-VI化合物ZnS,Z173.6沉积条件由于化学吸附是一个热活化过程,所以ALD...
AL2O3沉积用PE-ALD设备介绍
薄膜: 氮化物AlN, Hf3N4, SiN, TiN, GaN, InN, AlGaN, BN, NbN, NbTiN, VN, TiVN, WN, WCN, TaN, CoN 金属Ni, Pt, Ru 氧化物Al2O3, HfO2 , Nb2O5, NiO, SiO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, ZrO2, Li2O, LiPON, La2O3, SnO2, In2O3, ITO, Ga2O3, MgO, MgxZn1-xO 硫化物ZnS, SnS, ...
AL2O3沉积用PE ALD设备介绍