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型号 2SA812A-T1B 技术参数 品牌: NEC 型号: 2SA812A-T1B 封装: SOT-23 批号: 16+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 6.5V 长度: 1.1mm 宽度: 2.2mm 高度: 2.7mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
产品中心>分离式半导体>2SA812A-T1B 图片仅供参考,请参阅产品规格。 分离式半导体 SOT-23 制造商 :NEC Corporation (Renesas) 封装/规格 :SOT-23 产品分类 :分离式半导体 Datasheet:2SA812A-T1B Datasheet (PDF) RoHs Status:Lead free/RoHS Compliant ...
商品型号 2SJ461A-T1B-AT-VB 商品编号 C41369948 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.145克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 500mA 导通电阻(RDS(on)) 3Ω@10V,100mA 耗散功率(Pd) 240...
(2)血常规和生化检测看临床表现决定。(可以6月至1年一次)(3)常规的胸部CT、腹腔和盆腔增强CT看临床表现决定,主要是依据有无症状,和对复发转移的担心(通常最多一年一次即可)。 2、I期患者(T1a、T1b,N0接受外科手术或者,T1a的患者进行了内镜下切除)(1)体格检查3-6月一次,连续1-2年,然后6-12月1次,3-5...
型号: 2SJ461A-T1B-AT-VB 丝印: VB264K 品牌: VBsemi 参数: 封装类型: SOT23 沟道类型: P—Channel 最大耐压: -60V 最大电流: -0.5A 开通电阻 (RDS(ON)): 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V 阈值电压 (Vth): -1.87V 适用领域和模块示例:
品牌:RENESAS(瑞萨) 商品型号:2SJ166(1)-T1B-A 产品状态:在售 封装规格:TO-220-3 数据手册: 商品编号:L108060303 商品参数 选型手册 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 RENESAS(瑞萨) 封装规格 TO-220-3 包装 整包装 根据勾选的参数属性查找商品。 海量...
代亦芯片电子 4.5 商品体验优秀 服务体验良好 物流体验一般 已售少于100 ￥0.47点击查看更多 配送: 广东深圳至 阳泉城区 快递: 23.00现货,付款后48小时内发货 保障: 7天无理由退货 参数: 颜色分类:2SJ210-T1B-A 查看更多 参数信息 品牌 BBK/步步高
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