瑞奇戈德一非晶硅薄膜晶体管（a-Si：H TFT）——之一 薄膜晶体管（TFT）是平板显示器制造行业的核心技术，其价值相当于硅芯片对计算机行业的影响。在20世纪60年代发明液晶显示技术的初期，使用简单的X-Y电极寻址方式对液晶显示器像素进行寻址，显示图像存在大量的串扰，即一个像素会被邻近像素的变化所干扰；后来提出...
瑞奇戈德一非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)——之一 薄膜晶体管(TFT)是平板显示器制造行业的核心技术,其价值相当于硅芯片对计算机行业的影响。在20世纪60年代发明液晶显示技术的初期,使用简单的X-Y电极寻址方式对液晶显示器像素进行寻址,显示图像存在大量的串扰,即一个像素会被邻近像素的变化所干扰;后来提出了在每一...
a_Si_H薄膜太阳能电池_倪嘉.pdf, 2009 30 5 a-Si ∶H 倪嘉,鲍田, 王芸 (,233018) : a-Si ∶H 薄膜太阳能电池作为一种新的能源材料正得到迅猛发展, 该文阐述了a-Si ∶H 薄膜太阳能电池的原 理、结 、研究进展及应用前景。 : 非晶硅; 太阳能电池; 薄膜 a-Si ∶H Thin Film
人们探索用等离子体化学气相沉积(PCVD)方法('一般称“干法”.技术)制备非晶硅氢台金(a-Si ;H)薄膜.做晶硅: ( pxc-Si)薄膜或多晶.硅〈pc-Si).薄膜等非单晶硅基薄膜材料.经过再处理技术,如高温退火,高蓝氧化.教:光退火等方法使非单晶硅基薄膜成为纳米晶硅〈 ne-Si)薄膜,并成功地观察到发光效:应.,与多...
本课题组前期利用分子动力学模拟研究了沉积参数对a-Si:H薄膜中悬挂键含量、H含量、晶化率和SiHx键合等微观结构的影响, 给出了本征非晶硅钝化晶体硅的钝化效果在适度的温度下热处理可获得改善的合理解释[6,9]. 本文在该研究基础上进一步模拟分析了a-Si:H/c-Si薄膜中SiyHx组态的种类、结构、稳定性, 及衬底温度...
PCVD法制备多晶硅薄膜中退火过程的研究 在PCVD系统中,用射频辉光放电方法沉积本征a-Si:H薄膜,再经退火固相晶化而形成多晶硅薄膜。通过寻找最优的退火温度,在硅衬底上经过550℃温度、3h退火而制备了晶粒尺寸... 姚若河,林璇英,吴萍,... - 中国功能材料及其应用学术会议 被引量: 2发表: 1998年 ...
a-SiH薄膜太阳能电池 倪嘉,鲍田,王芸 (中国建材国际工程有限公司研发中心,蚌埠233018) 摘要:a-SiH薄膜太阳能电池作为一种新的能源材料正得到迅猛发展,该文阐述了a-SiH薄膜太阳能电池的原 理、结构、研究进展及应用前景。 关键词:非晶硅;太阳能电池;薄膜 a-SiHThinFilmSolarCell NIJia,BAOTian,WANGYun (Researc...
Si ∶H 薄膜中扩散,容易引起弱Si 2Si 键的断裂和H 的聚集,导致悬挂键的移动和悬挂键密度的增加等。事实上,10at %的H (约5×1021cm -3)才能大幅度减少DB 密度,比实际a 2Si ∶H 薄膜中的DB 密度大了1～2个数量级,所以H 在a 2Si ∶H 薄膜中的利用效率是很低的[2]。此外,H 在a 2Si 薄膜中不...
氢化非晶硅(a-Si:H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一.介绍了a-Si:H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si:H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si:H薄膜稳定...
摘要:摘要: 用射频等离子增强化学气相沉积方法(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20~80 Pa)对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响;利用激光喇曼光谱研究了气体压强对a-Si∶H薄膜微结构的影响,并与薄膜的电学性能进行了综合讨论。结果表明:随着辉光放电气体压强的...