中文名称:含氢类金刚石薄膜 英文名称:a-C:H 纯度:99% 保存时间:1年 包装:瓶装/袋装 储藏条件:-20°C 下避光保存 用途:仅用于科研,不能用于人体 【详细信息】 磁控溅射技术具有以下优点: 第一,等离子体电阻较低,放电电流高(1A~100A); 第二,成膜较快,可以达到 1-10nm/s 之间; 第三,沉积时,基体温升...
各位大侠,这是一张rf-CVD制备的掺N,O的a-C:H薄膜光子能量,这是根据非晶薄膜的光学带隙计算Tauc公式(ahν)1/2=A(hν-Eg)得出图谱,波长在250-2400nm,问题:在看文献或书中都是以个曲线的高能量端坐外推到X轴,得到截距即为光学带隙Eg,但是到底做去左边的切线还是线性拟合,还有做线性拟合时,是自从曲线的...
H 薄膜具有特定的组成区域.由于IR 分析法对SP3C/SP2C 分析存在着系 统误差,因而导致所得结构偏离该组成域.通过对IR 法的结果分析发现,SP3C 含量偏高, SP2C含量偏低;a-C:H 薄膜中SP2C 主要以非质子化形式存在,其含量可高达67 %;质子 化的SP2C仅占SP2C 总量的10 %左右.a-C:H 薄膜是受到较高约束的...
源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响 采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWP ECR CVD)方法,使用不同的源气体(CHF3/CH4, CHF3/C2H2, CHF3/C6H6)体系制备了a-C∶F∶H薄膜.由于CH4 ,C2H2 ,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6/CHF...
采用等离子体增强化学气相沉积复合磁控溅射法制备了WC/a-C:H薄膜.使用X射线衍射仪,扫描电镜,X射线光电子能谱,拉曼光谱和透射电镜表征了薄膜结构和组成,并使用球盘往复摩擦试验机测试薄膜在不同体系乳化液环境中的摩擦学性能.结果表明:WC/a-C:H薄膜具有典型的类金刚石结构,WC以β-WC1-x相的形式存在.WC在碳基...
2) a-C:H (N) films a-C:H(N)薄膜 3) N doped DLC α-C:H(N)薄膜 补充资料:BOPP薄膜用抗静电剂选择方法 据专家介绍,抗静电剂是BOPP薄膜助剂中需求量最大的品种,大多数用途的BOPP薄膜生产过程都需要加入抗静电母料。抗静电剂种类很多,按化学结构来区分,有阳离子型抗静电剂、阴离子型抗静电剂、非离子...
1) TiC/a-C:H film TiC/a-C:H薄膜 2) Ti Ti 1. EAM CALCULATION OF FORMATION ENTHALPIES OF Al,Li AND Mg(Ti) INTERMETALLIC COMPOUNDS; Al-Li-Mg(Ti)合金形成焓的EAM研究 2. ICP-AES Determination of Mn,Si,Al,Ti,Nb,La in Ultrahigh Strength Steel; ...
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掺溴非晶碳氢薄膜1. Bromine doped hydrogenated amorphous carbon(a-C∶Br∶H)thin films were deposited on silicon wafers by rf. 56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。2) a-Si:H film 掺氢非晶硅薄膜3) nitrogen_depped amorphous ...
摘要: 本文通过测量掺杂a-Si:H和a-SiC"h薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了 温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程.结果表明(1)杂质激活过程中伸展指数形式,(2)在低温区掺杂效率正比于e^-Rk/KT,(3)在高温 区掺杂效率达到-饱和值.通过一个与氢运动有关的杂质激活模型,我们解释了上述实验结果....