英文名称:a-C:H 纯度:99% 保存时间:1年 包装:瓶装/袋装 储藏条件:-20°C 下避光保存 用途:仅用于科研,不能用于人体 【详细信息】 磁控溅射技术具有以下优点: 第一,等离子体电阻较低,放电电流高(1A~100A); 第二,成膜较快,可以达到 1-10nm/s 之间; 第三,沉积时,基体温升缓和; 第四,薄膜均匀性较高。
基本的二级、三级溅射模式已经过多年的研发改进,并且已将多种材料成功应用于实际当中。包括:硬质薄膜、耐磨薄膜、耐腐蚀薄膜、光学类薄膜等。 【产品】 类石墨润滑薄膜(GLC) 锡硫基薄膜 Al/a-C:H纳米复合薄膜 Mo薄膜 以上文中提到的产品仅用于科研,不能用于人体及其他用途。
含氢非晶碳(a-C:H)薄膜主要由SP3C,SP2C 和H 3种"元素"组成,在它们的三 元相图中,a-C:H 薄膜具有特定的组成区域.由于IR 分析法对SP3C/SP2C 分析存在着系 统误差,因而导致所得结构偏离该组成域.通过对IR 法的结果分析发现,SP3C 含量偏高, SP2C含量偏低;a-C:H 薄膜中SP2C 主要以非质子化形式存在,...
1) a-C:H film a-C:H薄膜 2) α-C:H films α-C:H薄膜 1. Roughness and optical properties ofα-C:H films; 以H2和反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C:H薄膜。 3) TiC/a-C:H film TiC/a-C:H薄膜 ...
本论文采用等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD),首先在玻璃衬底上制备了光学带隙为2.46eV的氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜,并利用台阶仪、X射线光电子谱(XPS)、紫外可见光谱(UV-VIS)等技术手段实验研究了射频功率、衬底温度、反应压强和气体流量对薄膜的生长速率、结构成分和光学带隙的影响。实验发现,光学带隙随着...
1. The sensitivity of QCM sensors coated with the a C∶H films increases with the thickness of recognition coatings within certain ranges. 以正丁胺作为碳源,在石英晶体微量天平(QCM)上淀积氢化碳膜制成QCM传感器。2) Hydrogenated amorphous carbon films 氢化非晶碳薄膜...
1.一种基体表面的VC/a-C:H纳米复合涂层,其特征是:由硬质相纳米晶VC与润滑相非晶a-C:H组成,并且以a-C:H为基质,纳米晶VC弥散于该基质中;采用多弧离子镀技术,以金属V为靶材,以高纯Ar为工作气体,过量C2H2为反应气体,对表面清洗处理后的基体施加负偏压,对V靶施加靶电流,在基体表面沉积该VC/a-C:H复合涂层;...
对薄膜的结构进行表征,得到了其结构与特性的变化规律。研究与分析表明:随样品吸收剂量的增加,陷入空 穴中的电子会被激发,a 2SiC :H 薄膜中的SiC 成份增加,电阻率变小,数量级为105Ω・cm ;薄膜存在结晶化的 趋势,其主要原因在于由Si —O —Si 键断裂而产生的Si 取代膜中C —C 键中的C 而形成晶态SiC ...
Si:H/c-Si界面缺陷:理想情况下,在c-Si晶片上a-Si:H生长期间,c-Si表面的所有开放(悬挂)键应与生长薄膜的Si原子形成键。然而,悬挂键可以在a-Si:H/c-Si界面上形成,从而导致界面带隙中的复合活性态。与a-Si:H体中的情况类似,如果c-Si表面原子附近的a-Si:H网络结构不允许形成Si-Si键,则会发生这种情况。