首先,我们来看4H-SiC结构。4H-SiC是一种晶体结构,其晶胞中包含了4个硅原子和4个碳原子,属于闪锌矿型结构。每个硅原子和碳原子都完全共价键合,并且形成了六方晶胞。在这种结构中,4个硅原子和4个碳原子形成了一个独特的六角环,同时这个环也有一个平面内存在一个硅原子。相邻的六角环通过边连接起来,形成一个完整...
SIC晶体是由硅原子和碳原子构成的复合晶体,硅原子和碳原子以不同的方式排列形成不同的结构类型,其中4H相是硅原子和碳原子交替排列形成六方晶格的一种结构。 在LAMMPS中构建SIC晶体结构的步骤如下: 1.定义晶体结构:首先需要定义晶格参数和晶体的结构类型,对于4H相的SIC晶体,可以定义其晶格参数和原子的排列方式。 2...
4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究 彭 燕,宁丽娜 ,高玉强,徐化勇,宋 生,蒋 锴,胡小波,徐现刚 (1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;2.嘉兴学院,嘉兴314000) 摘要:利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H.SiC晶体表面形貌和多型分布。显微镜观察结果显示4H.SiC小面 ...
SiC 具备间接跃迁型能带结构,并且不同的多型体有着不一样的禁带宽度。以 4H 型 SiC 为例,它的禁带宽度为 3.26eV,大约是 Si 禁带宽度(1.1eV)的 3 倍。顺便提一下,可见光的能量范围处于 1.7eV 至 3.3eV 之间,高纯度的 4H 型 SiC 晶体对于可见光是透明的。那为什么用于器件制造的 SiC 晶体会呈现出黄色...
利用光学显微镜,显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布.显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿112-0方向容易出现裂缝.裂缝两侧有不同的生长形貌.拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志.纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于112-0方向裂缝;15R-SiC...
其中六方结构的 4H 型(4H-SiC)等少数几种晶体结构的单晶型碳化硅才是所需的半导体材料,在晶体生长过程中需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速率以及气流气压等参数,需要精确的材料配比、热场控制和经验积累,才能在高温下制备出无缺陷、皆为 4H 晶型的可用碳化硅衬底否则容易产生多晶型夹杂,导致产出的晶体不...
利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布.显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿<11(2-)0>方向容易出现裂缝.裂缝两侧有不同的生长形貌.拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志.纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于<... 查看全部...
本发明公开了一种具有阶梯缓冲层结构的4H-SiC金属半导体场效应晶体管,自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底,P型缓冲层,N型沟道层,N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极,N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极,栅电极与源极帽层之间形成凹陷栅源漂移区,...
我要用MS进行体相能带计算，但是画不出4H-SiC、6H-SiC晶体的立体结构图，哪位朋友帮下忙，最好是画...
本文研究了10 MeV电子辐照对4H-SiC的晶体结构和电学性能的影响.X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明:1.29×10^(19),2.60×10^(19)和3.90×10^(19) cm^(2)的电子辐照剂量对样品的晶体结构和晶型无显著影响,剂量达到5.20×10^(19) cm^(2)后,样品内部会产生轻微的晶格畸变.通过非接触式电阻测量仪分析样品的电阻...