6H-SiC也是一种晶体结构,同样属于闪锌矿型结构。其晶胞中包含了6个硅原子和6个碳原子,也是由六边形环相互连接而成。不同于4H-SiC,6H-SiC的晶体结构中,每个硅原子和碳原子的环是相互交替排列的。其晶体结构中每个碳原子都有一个和上面一个碳原子相连接的硅原子,也有一个和下面两个碳原子相连接的硅原子。这种...
本文通过分子动力学模拟对4H-SiC和6H-SiC的单颗粒划擦过程中的材料去除机理和相应的亚表面缺陷进行了研究。 03 最新进展 本文通过分子动力学模拟,对4H-SiC和6H-SiC的碳面和硅面进行了一系列单颗粒划擦模拟,分析了碳化硅的碳面和硅面在加工中体现出不同的材料去除效率和材料变形特性。图1所示为分子动力学模型和...
李辉表示,生长n型的4H碳化硅单晶(新能源汽车等),无法生长p型4H-SiC单晶和3C-SiC单晶。而p型4H-SiC单晶未来将是制备IGBT材料基础,将应用于高阻断电压、大电流的IGBT,比如轨道交通和智能电网等一些应用场景。而3C-SiC将解决4H-SiC及MOSFET器件的技术瓶颈。 她也介绍,“从成本、耗能等综合角度,高温液相法的成本会...
4H SiC 中晶体缺陷的准确表征对于增进对晶体生长的基本了解、改进过程控制和实现成功的工业应用至关重要。在多种应用中,4H SiC 引起了电力电子领域的特别关注,因为与传统硅基器件相比,4H SiC 具有固有的优势,例如更高的工作温度和更低的开关损耗。另一方面,对 SiC 中各种晶体缺陷密度的有限工艺控制,包括基面位错 (...
利用射频溅射法在 Si 衬底上制备了 SiC 薄膜 ,并利用 x 射线衍射 ( XRD) 和红外 ( IR) 吸收谱对薄膜的结构 、 成分 ) 及化学键合状态进行了分析 . XRD 结果表明 ,低温制备的 SiC 薄膜为非晶相 , 而在高温下 ( > 800 ℃ , 薄膜呈现 4H2 膜的表面形貌进行了研究 ,并研究了样品的场发射特性 . 关...
作为第三代宽禁带半导体材料,SiC(碳化硅)具有优异的物理和电学特性,使其在功率半导体器件领域具有广泛的应用前景。然而,碳化硅单晶衬底的制备技术具有极高的技术壁垒,晶体生长过程需要在高温低压环境下进行,环境变量多,极大影响了碳化硅产业化应用。而液相法在p型4H-S
4H SiC 中晶体缺陷的准确表征对于增进对晶体生长的基本了解、改进过程控制和实现成功的工业应用至关重要。在多种应用中,4H SiC 引起了电力电子领域的特别关注,因为与传统硅基器件相比,4H SiC 具有固有的优势,例如更高的工作温度和更低的开关损耗。 另一方面,对 SiC 中各种晶体缺陷密度的有限工艺控制,包括基面位错 ...
王中林院士/朱来攀副研究员《AM》:基于4H-SiC中热光电子效应增强的高灵敏度光电检测和成像!,王中林,肖特,光电子,sic,半导体
作为第三代宽禁带半导体材料,SiC(碳化硅)具有优异的物理和电学特性,使其在功率半导体器件领域具有广泛的应用前景。然而,碳化硅单晶衬底的制备技术具有极高的技术壁垒,晶体生长过程需要在高温低压环境下进行,环境变量多,极大影响了碳化硅产业化应用。而液相法在p型4H-S
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究.建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正.利用SilvacoTCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图.研究结果表明,4H-SiC和6H-SiCVDMOSFET...