近年来,国内的4H-SiC功率二极管研究及产业也日趋成熟:泰科天润已成功推出600~1700 V 4H-SiC二极管产品,中国电子科技集团公司第五十五研究所Huang等已开发出超过10 kV的SiC结势垒肖特基(JBS)器件,浙江大学Ren等研制了1.2 kV 的沟槽结势垒肖特基(TJBS)器件,西安电子科技大学Yuan等分别研制了超过5 kV的SiC JBS二极管及...
4英寸碳化硅衬底晶圆晶片 高纯无掺杂半绝缘型4H-SiC晶体半导体 SC0017 -- 皓睿光电 SC0017 SC0017 ￥5000.0000元>=1 片 江阴皓睿光电新材料有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 2英寸碳化硅衬底晶圆晶片 高纯无掺杂半绝缘型4H-SiC晶体半导体 ...
4H-SiC单晶 Cas 号: 分子式: 订货信息: 货号品名规格包装单价货期库存 2206241127254H-SiC单晶(N)型99.999% 直径1英寸×0.5mm(电阻率0.1)单抛1件询价咨询客服3天 2206241126424H-SiC单晶99.999% 直径1英寸×0.5mm(晶向001) 单抛1件询价咨询客服3天
从下表参数看，4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多。更高的电子迁移率un，可以得到更...
摘要：碳化硅（SiC）因其在高温环境下的优异性能，在高温微机电系统（MEMS）传感器的开发中展现出巨大的潜力。本研究设计、制备并测试了一款基于体碳化硅加工技术的MEMS加速度计。该传感器采用4H-SiC晶片制备，采用经典的弹性梁防质量结构。晶片最表层为掺杂的N型SiC外延层，用作压阻材料以产生灵敏电阻。利用干法刻蚀获得...
4H SiC 中晶体缺陷的准确表征对于增进对晶体生长的基本了解、改进过程控制和实现成功的工业应用至关重要。在多种应用中,4H SiC 引起了电力电子领域的特别关注,因为与传统硅基器件相比,4H SiC 具有固有的优势,例如更高的工作温度和更低的开关损耗。另一方面,对 SiC 中各种晶体缺陷密度的有限工艺控制,包括基面位错 (...
4H-SiC缺陷概述 4H-SiC概述(生长、特性、应用)、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光学显微镜,TEM,SEM/散射光等表征方法。 报告详细内容 ■ 介绍 • 一些器件正在突破Si的界限,SiC和GaN提供了改进的希望。 ■ 介绍 • 生长方法:...
4H-SiC SBD器件由p-n结组成,其中p型区域具有较低的掺杂浓度,n型区域具有较高的掺杂浓度。这种结构使得4H-SiC SBD器件具有较低的反向漏电流和较短的开关时间。研究表明,4H-SiC SBD器件能够在高温下工作,具有较低的导通压降和较高的散热能力。 2. 4H-SiC JBS器件的研究 2.1 JBS器件的结构和特点 结型势垒肖特...
4h-sic许用应力 4H-SiC是一种优异的宽禁带半导体材料，因其高硬度、高熔点、高化学稳定性等特点而被广泛应用于高温、高频、大功率电子器件领域。在4H-SiC材料中，其抗拉强度和剪切强度均较高，因此其许用应力也相对较高。许用应力是指在一定条件下，结构或机械部件能够承受的应力极限值，通常是根据材料的力学性能...
合盛硅业下属单位宁波合盛新材料有限公司(以下简称“合盛新材料”),于近期正式宣布8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。这一里程碑式的成就标志着合盛新材料在第三代半导体材料领域取得了重大技术突破,全面跻身行业第一梯队。 ■ 全智能生产车间