在偏向方向4°的4H-SiC(0001)矽面n-型(～1018at/cm-3)衬底上,生长1E16 at/cm3 n-掺杂浓度的n-SiC外延层,以避免外延层上形成粗糙的马赛克图形。 本实验针对中高压二极体或MOSFET生长9.0微米薄膜外延层;操纵变因为蚀刻时间,分别使用二分之一参考蚀刻时间、参考蚀刻时间、两倍参考蚀刻时间和三倍参考蚀刻时间来研...
加工、测量与设备Processing,MeasurementandEquipment4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法高飞,徐永宽,程红娟,洪颖,张淑娟(中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220)摘要:以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54cm)的...
High-purity semi-insulating 4H-SiC, on-axis, Orientation: {0001} ±0.25 deg, thickness: 1um±0.02um (Wafer specification need to be checked before processing)SiO2 thickness 3um，Si (100)，SiC c-face up, roughness Rq<0.2nm after CMP 路线2：减薄CMP--SICOI 优点：对材质本身不造成改变...
表面電極 : Al / Ti 背面電極 : Ni 図1:メサ構造のpnダイオードの模式図 メサ構造 (000-1) or (11-20)基板 n - ドリフト層 Al + イオン注入層 2005/06/24 @研究室Semi. 6 4 測定結果 雪崩降伏(breakdown)の電圧 (a) (000-1)C面 理論値 : 1150V ←4H-SiC(0001)Si面のもの 実験値...
上述研究说明在偏4° 4H-SiC表面外延生长的薄膜中, I类SF起源于衬底的BPD连线; II类SF起源于衬底的两个或以上的BPD; III类和IV类SF都起源于衬底的BPD或TED, 其中III类层错产生垂直于(0001)面的棱镜面SF与表面相交, 而IV类SF不产生。在研究结果中, I类、II类和80%以上的III类和IV类SF均源于衬底的BPD;...
为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪), 观察到4H-SIC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SIC(0001)(3×3)重构的角分辨 x射线光电子能谱(xPs),得出该结构中Si2p和Cls的能态结构,进而发现SIC(0001)(3×3)重构面仅由硅原子形成,是...
此处显示的SiC样片来自标准离轴4°切割的Si面(0001)晶片。SiC性质预计在该平面内是各向同性的。将具有薄Au帽层的Ni触点(40nm)蒸发到角落上,并在950°C下退火30秒。接触尺寸足够小,不会对霍尔测量值产生很大的影响。 图1 I-V曲线显示了1x1cm2Si面范德堡SiC样片在300K下的欧姆接触行为 ...
为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪), 观察到4H-SIC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SIC(0001)(3×3)重构的角分辨 x射线光电子能谱(xPs),得出该结构中Si2p和Cls的能态结构,进而发现...
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8. 的p型4H-SiC (0001) Si-面衬底上进行同质外延生长. 霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型. XRD测试显示各个样品只在位于2θ=35??5. 附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶. 在低温PL谱中,对于在较低 ...
并且C面的位错更容易发生在(0001)面,而Si面的位错更容易发生在(10-10)面。这些位错会随着划擦的进行沿划痕方向滑移,(0001)基面上的位错和滑移将有助于去除材料,从而有较好的亚表面质量,而(10-10)面上的位错和滑动可能会导致严重的亚表面脆变。 图3分子动力学仿真结果中的亚表面位错分析。(a)亚表面变形的...