sic抛光硅面原子分子层抛光液 加工、测量与设备Processing,MeasurementandEquipment4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法高飞,徐永宽,程红娟,洪颖,张淑娟(中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220)摘要:以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡...
声学材料、弹性各向异性、弹性常数、频率分裂、HAR DRIE、高 Q 因子、机械材料、机声学材料、微机电系统 (MEMS)、MEMS 谐振器、碳化硅 (SiC)、绝缘体上碳化硅 (SiCOI)、智能切割、频率温度系数 (TCF)、品质因数温度系数 (TCQ)、横向各向同性。
SiO2/SiC界面 4H—SiC ADXPS 界面态 缺陷采用角依赖X射线光电子谱技术(ADXPS)对高温氧化SiO2/4H—SiC(0001)界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究.通过控制1%浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间,制备出超薄膜(1~1.5nm)样品,同时借助标准物对照分析,提高了谱峰分解的可靠性.结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界...
本论文首次采用大尺寸多层4H-Si C(0001)面层晶模型,基于第一性原理计算,着重研究了4H-Si C(0001)表面几种典型的单个点缺陷的结构特性,形成能大小以及对氢饱和表面电子性质的影响,并利用经验势分子动力学模拟,展示了具有不同对称性边界的表面孔洞在高温下的热力学演化行为,探讨了几何对称性对不同表面孔洞的边界...
SiC Single Crystal 6H-semi Type Thicnkss customized Application Infrared Optical Research Grade Dummy Surface Polished SSP Diameter 6 Inch MPD <10cm-2 Type Un-doped High Purity Resistivity >1E5 Ω.cm 包装和发货信息 Packaging Details 单晶圆封装在100级清洁室 销售单位: 单一商品 单品包装尺寸: 10X10...
上述研究说明在偏4° 4H-SiC表面外延生长的薄膜中, I类SF起源于衬底的BPD连线; II类SF起源于衬底的两个或以上的BPD; III类和IV类SF都起源于衬底的BPD或TED, 其中III类层错产生垂直于(0001)面的棱镜面SF与表面相交, 而IV类SF不产生。在研究结果中, I类、II类和80%以上的III类和IV类SF均源于衬底的BPD;...
为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪), 观察到4H-SIC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SIC(0001)(3×3)重构的角分辨 x射线光电子能谱(xPs),得出该结构中Si2p和Cls的能态结构,进而发现...
研究人员发现,对于典型的衬底掺杂水平,SiC衬底电阻率最低在425K左右,这是由于随着温度的升高,迁移率的降低和载流子浓度的增加之间存在竞争。对5.8×1018cm-3氮掺杂SiC衬底提取了N供体(六方/立方位)的测量能级,发现其分别为15meV和105meV。
SiO2/SiC界面过渡区结构研究 采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,使用浓度为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1nm～1.5nm)氧化膜 SiO2/SiC界面样品.采用变角X射线光电子能谱技术... 朱巧智,王德君,赵亮,... - 《半导体技术》 被引量: 3发表: 2008年 ...
平行于Si(0001)晶面的滑移位错 和由位错列阵组成的相邻晶粒之闻的低角度晶界.对六角形蚀坑和壳形蚀坑的形成及其底部位置的不同穆动方向进行了解释・ 关键诃t 4H-SiC.德晶向村底,表面形貌.位槽结构 1.引言 SIC作为继Sj、Ge第一代半导体和GaAs为代表的第二代化合物半导体之后的第三代宽带隙 半导体,由于在...