所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。
例如,上图展示了 4H 型 SiC 的堆积顺序,下表还对各种多型体的堆积顺序进行了总结归纳。SiC 具备间接跃迁型能带结构,并且不同的多型体有着不一样的禁带宽度。以 4H 型 SiC 为例,它的禁带宽度为 3.26eV,大约是 Si 禁带宽度(1.1eV)的 3 倍。顺便提一下,可见光的能量范围处于 1.7eV 至 3.3eV 之间,高...
其中,首次在4H-SiC芯片中发现的光致动态肖特基效应及热释电光电子学效应为实现多功能光电传感提供了理论保障。该工作通过巧妙的结构设计,将4H-SiC芯片夹在两个由“肖特基+欧姆接触”协同调制作用下的反向势垒之间。与单独的欧姆调制相比...
结晶质量良好,晶型稳定且衬底全片电阻率小于0.5Ω㊃cm㊂通过第一性原理平面波超软赝势方法对本征4H-SiC 及Al 元素掺杂后样品的体系进行能带结构㊁电子态密度的计算㊂结果表明Al 掺杂后样品禁带宽度减小,费米能级穿过价带,体现出p 型半导体的特征㊂研究结果为大规模生产高质量㊁低电阻的p 型4H-SiC 衬底...
4HSiC 的晶格常数、能带结构、态密度、载流子浓度和电导率。结果表明:P 掺杂减小了 4HSiC 的禁带宽度, 其中P替位 C 原子掺杂的禁带宽度最小。替位式掺杂导致 4HSiC 的费米能级进入导带,使其成为n 型半导体, 间隙式掺杂使4HSiC的费米能级接近导带并在其禁带中引入杂质能级。替位式掺杂后,4H...
在不同栅结构的4H-SiC MESFET器件中,具有代表性的有双凹栅MESFET和阶梯栅MESFET。双凹栅MESFET的结构剖面图如图3所示。 从图3中可以看出,双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的区别为下栅部分,双凹栅4H-SiC MESFET的下栅部分为具有长度为W的长方形栅,而阶梯栅的下栅部分为阶梯状的栅。
图1:计算3C-SiC出的电子能量的能带结构呈高对称性方向,与基础上取得的最佳设置从BZW程序。 3结果 3.1 3C - SiC的电子结构和总能量 对3C — SiC的电子能带与最佳基组计算的都显示在图1,能带的能量为零设置在价带顶.对价带顶3C—SiC的在Γ点是导带底是在X点。我们的计算是相对3C—SiC的,图1被占领价带非常...
图 2 掺杂前,后 4H-SiC 的能带结构 Fig. 2 Electronic band structure of pure and doped 4H-SiC 第3期 史茹倩, 等:N-Al 共掺杂 4H-SiC 的第一性原理计算 · 73 ·变.掺杂使导带中出现更多的能级.由图 2(d)可知,相 对于本征 SiC,N-Al 共掺杂 SiC 的禁带宽度减小且导 带底和价带顶均出现杂质...
碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进,这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实,晶圆衬底的表面处理时间越长,则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性,在大...
我要用MS进行体相能带计算，但是画不出4H-SiC、6H-SiC晶体的立体结构图，哪位朋友帮下忙，最好是画...