4H-SiC作为第三代宽禁带半导体,具有高击穿电场、高电子饱和漂移率、耐高温、耐辐射等特点,是一种高质量的可见盲紫外光电探测器材料。此外,4H-SiC由于与Si基技术兼容,因此可以使用成熟的Si基器件制备技术,通过设计特殊的器件结构来调控界面...
SiC 晶体有着多种具有代表性的多型体,像 3C 型、4H 型以及 6H 型等等。这里面的数字代表的是沿着堆积方向一周期内的碳硅双原子层数,而字母 C 表示立方晶系(cubic),H 则代表六方晶系(hexagonal)。在 SiC 晶体的制造过程中,温度等条件的不同会决定最终所形成的多型体种类。例如,上图展示了 4H 型 SiC 的...
图1:计算3C-SiC出的电子能量的能带结构呈高对称性方向,与基础上取得的最佳设置从BZW程序。 3结果 3.1 3C - SiC的电子结构和总能量 对3C — SiC的电子能带与最佳基组计算的都显示在图1,能带的能量为零设置在价带顶.对价带顶3C—SiC的在Γ点是导带底是在X点。我们的计算是相对3C—SiC的,图1被占领价带非常...
4H-SiC碳化硅晶圆中通常会有一块颜色较深的区域，该区域的成因可能是晶圆中的杂质或缺陷造成的，例如氮...
4H-SiC作为第三代宽禁带半导体,具有高击穿电场、高电子饱和漂移率、耐高温、耐辐射等特点,是一种高质量的可见盲紫外光电探测器材料。此外,4H-SiC由于与Si基技术兼容,因此可以使用成熟的Si基器件制备技术,通过设计特殊的器件结构来调控界面电场的分布,可能解决器件暗电流过大的问题,以实现高性能的紫外探测。
本文的仿真软件采用ISE-TCAD,描述坡形栅MESFET器件的基本模型有能带变窄模型、迁移率模型、雪崩离化模型和复合模型等。 3 不同栅结构的4H-SiC MESFET物理特性对比及坡形栅结构的优化 3.1 双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET物理特性对比 在不同栅结构的4H-SiC MESFET器件中,具有代表性的有双凹栅MESFET和阶梯栅ME...
基于此,中科院北京纳米能源与系统研究所王中林、朱来攀和北京科技大学侯新梅、杨涛等制备了一种氮掺杂的4H-SiC纳米孔阵列(NHA),并研究了其中的诱导极化对PE-PEC水分解的促进作用。 理论计算表明,N掺杂可以有效地调节4H-SiC的能带结构,并且随着N掺杂量的增加,费米能级进入导带的深度增加。此外,当N的掺杂量达到一定...
本文制备了一种氮掺杂的4H-SiC纳米孔阵列(NHA),并研究了其中的诱导极化对PE-PEC水分解的促进作用。 压电极化促进光电化学(PE-PEC)水分解是一种将光能、动能和电能转化为化学能以获得氢能的有前途的方法。然而,由于目前大多数压电材料的能带位置不当和稳定性较差,迫切需要设计和制备具有合适的带状结构、优异的压电...
其中,首次在4H-SiC芯片中发现的光致动态肖特基效应及热释电光电子学效应为实现多功能光电传感提供了理论保障。该工作通过巧妙的结构设计,将4H-SiC芯片夹在两个由“肖特基+欧姆接触”协同调制作用下的反向势垒之间。与单独的欧姆调制相比...
从理论上来说,Li掺杂会引入额外的自由电子,从而改变4H-SiC的能带结构。Li原子的引入会导致价带顶附近出现新的能级,从而降低材料的最小能隙。这意味着Li掺杂的4H-SiC在吸收光子时,更容易发生电子跃迁,从而提高光吸收效率。 此外,Li掺杂还会影响4H-SiC的载流子浓度和迁移率。由于Li原子半径较小,其与Si、C原子的键长...