图1:计算3C-SiC出的电子能量的能带结构呈高对称性方向,与基础上取得的最佳设置从BZW程序。 3结果 3.1 3C - SiC的电子结构和总能量 对3C — SiC的电子能带与最佳基组计算的都显示在图1,能带的能量为零设置在价带顶.对价带顶3C—SiC的在Γ点是导带底是在X点。我们的计算是相对3C—SiC的,图1被占领价带非常...
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕见,主要通过人工合成。其晶体结构具有同质多型体的特点,在半导体领域最常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。
在4H-SiC 外延生长工艺中，衬底上的基面位错能够转化成外延层中的刃型位错。这种转化降低了外延层中基面位错的密度，也就减小了外延层中缺陷对SiC 器件的损害。通过对基面位错的模拟，可以计算位错的密度和分布，态密度，能带结构，基面位错的转化等[2]。将结构缺陷模拟应用于PIN 二极管的优化，在实验无法勘察位错...
所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。
应用基于第一性原理平面波超软赝势方法,对六方相4H-SiC掺杂Ⅲ主族B、Al、Ga元素体系的晶格常数、能带结构、电子态密度、布居数进行了计算.计算结果表明:B、Al、Ga元素掺杂后,体系都发生了晶格畸变,能带都呈现出间接带隙特征,禁带宽度减小,费米能级穿越了价带,体现出p型半导体的特征;掺杂原子与C原子形成共价键的...
其中,首次在4H-SiC芯片中发现的光致动态肖特基效应及热释电光电子学效应为实现多功能光电传感提供了理论保障。该工作通过巧妙的结构设计,将4H-SiC芯片夹在两个由“肖特基+欧姆接触”协同调制作用下的反向势垒之间。与单独的欧姆调制相比...
4H-SiC材料与其它材料的异质结可以扩展其应用领域,例如SiC/Si异质结可以用于功率器件的制备。异质结的形成会引入界面缺陷,影响晶体的结构和电学特性。 3.2 异质结对4H-SiC性能的影响 异质结的引入会改变4H-SiC材料的输运特性、能带结构和电子结构。例如,SiC/Si异质结中的晶格失配会导致位错的生成和电子结构的改变,从...
P间隙式掺杂4H-SiC的能带结构如图2(d)所示。相较于本征4H-SiC,它们的导带与价带结构相似,但其带隙略减小,禁带中引入杂质能级,费米能级靠近导带且穿过一条杂质能级。该杂质能级上的杂质部分电离,产生电子。P作为间隙式杂质使4H-SiC产生了两条位于费米能级下的杂质能级,在n型4H-SiC中,费米能级接近导带,电子基本...
3C和4H-SiC中的电子结构和电荷转移 摘要:我们使用一个局部密度泛函势、原子轨道线性组合(LCAO)法以 及BZW程序,研究了3C-SiC和4H-SiC的电子结构。我们计算了能带、带隙、 n-型载流子的有效质量以及临界点转变能量。计算出的电子性质与实验结果很 好地吻合。对3C-SiC的初始总能量计算,找到了一个平衡晶格常数a=4....
本文的仿真软件采用ISE-TCAD,描述坡形栅MESFET器件的基本模型有能带变窄模型、迁移率模型、雪崩离化模型和复合模型等。 3 不同栅结构的4H-SiC MESFET物理特性对比及坡形栅结构的优化 3.1 双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET物理特性对比 在不同栅结构的4H-SiC MESFET器件中,具有代表性的有双凹栅MESFET和阶梯栅ME...