硅（Si）：带隙小（1.1 eV），耐压和热性能不及SiC。金刚石：更高热导率（2000 W/m...
1. 4H-SiC的晶体结构中，碳原子占据六方密堆积和立方面心两种晶格位置。2. “六方”指的是六方密堆积晶格，这是一种空间群为P63mc的晶体结构。3. “立方”指的是立方面心晶格，这是一种空间群为Fm-3m的晶体结构。4. 在这两种结构中，碳原子以不同的方式排列，形成不同的晶格点阵。5. 六方...
6H-SiC为ABCACB型,即ABCACB ABCACB…… 而15R-SiC则是更为复杂的ABACBCACBABCBAC型,重复排列为ABACBCACBABCBAC ABACBCACBABCBAC…… 通常,晶体会使用空间群符号进行表示。但为了更简便地区分同空间群的碳化硅,我们可以采用一种更简洁的符号系统:晶型符号由数字和字母组合而成。其中,数字代表沿着(001)方向的碳硅...
4H-SiC对应的ABAC型:ABAC ABAC…… 6H-SiC对应的ABCACB型:ABCACB ABCACB…… 15R-SiC对应的ABACBCACBABCBAC型:ABACBCACBABCBAC ABACBCACBABCBAC…… 本来,晶体是用空间群符号来表示的,为了区分同空间群的碳化硅,那可以使用更简单的符号:晶型符号由数字+字母表示。其中,数字表示一个晶胞沿着(001)方向的碳硅双...
6H-SiC对应的ABCACB型:ABCACB ABCACB…… 15R-SiC对应的ABACBCACBABCBAC型:ABACBCACBABCBAC ABACBCACBABCBAC…… 本来,晶体是用空间群符号来表示的,为了区分同空间群的碳化硅,那可以使用更简单的符号:晶型符号由数字+字母表示。其中,数字表示一个晶胞沿着(001)方向的碳硅双原子层数,C表示立方晶系(Cubic),H表示...
[0074] (1)建立4H_SiC晶胞的三维原子结构模型,如图1所示,4H_SiC晶胞 的三维原子结构模型可直接从模型库调用,也可以根据4H_SiC晶胞的空间群、 晶格参数、原子坐标自行绘制,4H_SiC材料具有六方结构的晶胞,具有晶格常数: a===3.08z\±0.5%, b=3.08A±0,5%,c=10,06A±0.5%. α =90°,β = 90°,γ =...
6H-SiC对应的ABCACB型:ABCACB ABCACB…… 15R-SiC对应的ABACBCACBABCBAC型:ABACBCACBABCBAC ABACBCACBABCBAC…… 本来,晶体是用空间群符号来表示的,为了区分同空间群的碳化硅,那可以使用更简单的符号:晶型符号由数字+字母表示。其中,数字表示一个晶胞沿着(001)方向的碳硅双原子层数,C表示立方晶系(Cubic),H表示...
一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型,其计算机辅助构建方法如下: (1)建立4H-SiC晶胞的三维原子结构模型,如图1所示,4H-SiC晶胞的三维原子结构模型可直接从模型库调用,也可以根据4H-SiC晶胞的空间群、晶格参数、原子坐标自行绘制,4H-SiC材料具有六方结构的晶胞,具有晶胞参数:<Image><Image>α=90°,β=90°,γ...
1 计算模型 SiC 的基本结构单元是每个 Si 原子分别和 4 个 C 原子成键,构成正四面体结构, Si 原子位于四面体中心,4 个 C 原子分别位于四面体的 4 个顶角。SiC 多形体 就是由这些基本的结构单元在空间密排堆垛而成。4H-SiC 属于六方晶系空间群 P63m,4H 代表由 4 层 Si-C 为一周期排列的六角结构。本...
算4种体系的电导率可知,P替位Si原子掺杂4HSiC的电导率最大,导电性最好。 关键词:4HSiC;P掺杂;第一性原理;电导率 中图分类号:O64 文献标志码:A Firstprinciplescalculations of P doped 4HSiCsupercell SHI Ruqian 1,2 , WU Yi ...