由于在控制4H-SiC外延层厚度,掺杂,生长速度和晶体质量方面的众多优点,CVD法已被广泛用于4H-SiC的外延生长。原位刻蚀是CVD外延工艺中的一个重要参数,但是却常常被忽略。在外延工艺之前,为了使衬底表面更平整,消除衬底表面的缺陷,也会有意的加入一段时间的原位刻蚀过程,因此原位刻蚀的研究对外延生长质量有极其重要影响...
107011211122660 TN82TN4公开 西安电子科技大学 硕士学位论文 4H-SiC外延生长原位刻蚀工艺的研究 学校代码 分类号 学号 密级 作者姓名:*** 一级学科:物理学 二级学科:凝聚态物理 学位类别:理学硕士 指导教师姓名**称:汤晓燕教授 提交日期:2014年11月 Thestudyofinsituetchingprocessof 4H-SiCepitaxialgrowth Athesis...
实验发 现,生长前的原位刻蚀、初始生长参数以及生长温度对于维持外延层晶型,避免 3C.SiC多型的产生具有重要影响。 ’在微分干涉显微镜下样品外延表面呈台阶状或丘状突起,在边缘区域存在少 量三角形缺陷。通过Ramall散射光谱判定三角形缺陷为3C.SiC多型,其余区域 区域的表面粗糙度(RMS)为0.484nm,表面起伏程度很小。
零偏4H-SiC衬底的同质外延方法 基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54cm)(0001)Si面零偏4H—SiC衬底上生长了高质量的同质外延层,并对其主要工艺参数和生长机制进... 孙哲,吕红亮,王悦湖,... - 《微纳电子技术》 被引量: 1发表: 2014年 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌...
本标准给出了4H碳化硅(4H-SiC)衬底及外延层的主要缺陷、工艺与加工缺陷等方面的形貌特征图谱,说明了缺陷的特点、性质及其对外延生长或器件特征参数的影响,分析了产生的原因及消除方法,并进行了分类。本标准适用于4H-SiC半导体材料生产、研究中各种缺陷的检验, 4H-SiC器件的生产、研究也可参考本标准。2规范性引用文件...
对衬底进行标准清洗后放入托盘中;通入氢气,对反应腔内的碳化硅衬底进行10～15min刻蚀;升温;进行Buffer层生长;进行P‑SiC外延层生长;关闭反应源和掺杂源,降温至室温进行吹扫,获得P型掺杂的碳化硅外延片;本发明中4H‑SiC外延炉的进气管分为主路和副路,对样品生长质量影响较大,本发明通过确定腔体进气处的TMA流量,...
SiC 衬底及外延 1 4.1 4H 碳化硅 1 4.2 晶型2 4.3 物理气相输运生长3 4.4 4H-SiC 衬底5 4.5 4H-SiC 同质外延及台阶控制外延生长6 4.6 4H-SiC 外延层及外延晶片6 4.7 KOH 腐蚀7 5 缺陷基本术语及分类9 6 4H-SiC 衬底缺陷 11 6.1 位错 11 6.2 层错 14 6.3 微管 17 6.4 碳包裹体20 6.5 晶型包裹...
实验还发现:采用选择性刻蚀生 长的外延层中原位SF的密度(5.0×103/cm2)低于常规生长的外延层中原位SF的 密度(5.7×104/Cm2),为进一步降低原位SF密度提供有意义的指导。 关键词:4H.SiC材料,位错延伸和转化机理,外延生长,BPD,SF,缺陷无损表 征技术 Abstract Abstract Silicon third widebandsemiconductor Carbide(...
本实用新型的优点在于:(1)根据瞬发裂变中子铀矿测井的实际需求,本实用新型选取了大面积、高纯度的零偏4H-SiC衬底,并优化了原位刻蚀参数,有效去除了衬底表面损伤和污渍,有利于外延层继承衬底晶型(2)采用Cl-Si-C-H气体系统生长同质外延层,优化工艺参数,在外延层完全消除了基面位错,提高了探测器的电荷收集效率,进而提高...
该方法在生长一层高掺p型外延层之后进行了机械抛光和原位刻蚀,在此之上沉积了超厚n型外延层。而专利cn112466745a通过使用惰性气体作为切换过程中的过渡气体,提供了一种多层p型掺杂外延层的生长方法。以上均未探究具体的工艺参数对p-sic生长质量的影响。而专利cn103715069b公开了一种减少碳化硅薄膜中缺陷的生长方法,其...