随着美国商务部工业与安全局 (BIS)针对高算力芯片管控指标不断升级,增加了先进计算最终用途管控,AI算力的高需求带动HBM成最强“辅助”,主要体现在HBM的供给侧趋势。 1、从三大家HBM供给侧趋势看,HBM3及以上版本逐渐成为主流,从容看24GB/32GB逐渐替代16GB成为主流配置; 2、HBM4预计于2026年开始量产; 3、工艺节点看...
与此同时,SK海力士已在加速推进第七代HBM产品的HBM4E(MR-MUF技术 16层堆叠,计划使用第六代 10+nm 级 1c nm 制程的 32Gb DRAM ),HBM4E 内存可较 HBM4 在带宽上提升 40%、密度提升 30%,同时能效也提高 30%。 SK海力士表示当前HBM技术已达到新的水平,同时代际更迭周期也在加快,此前由HBM到HBM3E之间的迭...
由于I/O引脚的限制,传统片外存储器只能使用少数引脚来传递数据,3D结构将改善该问题,比如HBM。 2.3 异构集成 3D集成提供了一个未来架构设计探索的新维度,特别是未来CMP设计时的异构集成能力,其不同组件可以使用不同的技术单独制造。 非易失性Memory Stacking 在处理器上叠加Magnetic Random Access Memory (MRAM)或Pha...
混合键合与TSV是3D封装的核心,HBM“连接”与“堆叠”带来设备材料端发展新机遇:混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W,3D NAND使用W2W,典型案例为长鑫存储的Xstacking,CMOS层+存储层采用W2W混合键合方案,预计HBM未来亦会采用W2W方案,W2W与D2W方案相比一般应用于良率非常高的晶圆,避免损失。根据我们产业链研究,混合...
这个过程可能看起来很复杂,但它比替代技术更好——一种称为顺序 3D 堆叠(sequential 3D stacking )CMOS 的技术。采用这种方法,NMOS 器件和 PMOS 器件构建在不同的晶圆上,将两者粘合,然后将 PMOS 层转移到 NMOS 晶圆上。相比之下,自对准 3D 工艺需要更少的制造步骤并更严格地控制制造成本,这是英特尔在研究中展...
这个过程可能看起来很复杂,但它比替代技术更好——一种称为顺序 3D 堆叠(sequential 3D stacking )CMOS 的技术。采用这种方法,NMOS 器件和 PMOS 器件构建在不同的晶圆上,将两者粘合,然后将 PMOS 层转移到 NMOS 晶圆上。相比之下,自对准 3D 工艺需要更少的制造步骤并更严格地控制制造成本,这是英特尔在研究中展...
Therefore, stacking is needed, including integrating many memory bandwidths and HBM into the package, while considering issues such as power supply, I/O, and interconnect density. Consequently, Kevin Zhang stated that bringing “silicon photonics into packaging” is the future direction. However, thi...
第二阶段的多片晶圆堆叠 M-stacking 技术，是把 DRAM 晶圆也堆叠上去，可作为数据缓冲，实现对存储体的高速数据存取。现阶段采用后段封装工艺制造的 HBM，因其凸点工艺的局限，存在散热性能差、连接数少等先天弊端，影响存储容量和带宽提升空间。针对此问题，利用多片晶圆堆叠技术工艺精度高、连接热阻低和生产效率高的...
The past decade saw the development of stacked WLCSP, which allows for multiple integrated circuits in the same package and is used for both heterogeneous bonding, which integrateslogicand memory chips, and memory-chip stacking. In 2.5-D stacking, two or more chips are laid side by side with...
一、技术突破：从“二维互连”到“三维集成” 传统PCB制造依赖平面布线实现信号传输，而3D封装技术通过**硅通孔（TSV）**、**微凸块（Micro-Bump）**和**芯片堆叠（Chip Stacking）**三大核心技术，构建起垂直方向的高速互连网络。例如，台积电的InFO_SoW技术将处理器与HBM内存堆叠，使数据传输速率提升3倍，功耗...