目前,β-SiC的应用范围大多还主要是在:烧结微粉、导热材料、特殊涂层、磨料和碳粉添加剂等这些领域,但据可靠消息得知:β-SiC已有应用半导体材料领域,可与4H-SiC一样,制备成最终应用于所有电子产品上的半导体器件,因为有相关研究表明:β-SiC即使是薄膜状也可表现出高热导率,因此有望应用于集成电路。另外,β-SiC相...
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光谱引导：立方晶型SiC具有较低的损耗和高的光束质量，可用于制造光谱引导器件。光谱引导器件可以在光学通信、光学传感和光学成像等应用中对光信号进行传输和控制。常用的立方碳化硅粉（3C-SiC）纳米粉，亚微米，微米粉，规格如下：40-50nm，100-300nm，300-500nm，1-3um，5um，7um，10um，20um，40um，99%。...
所以,相比硅基3C-SiC,体块3C-SiC晶体更具潜在优点,主要包括离子注入和金属化等加工,而且单晶衬底还能够通过调整外延层厚度来实现更多器件耐压操作。 为此,据陈小龙团队的文献介绍,他们改变思路,转而采用TSSG液相法来生长3C-SiC单晶,这主要是基于2个方面的考虑: 首先,与PVT法相比,TSSG方法可以更容易地调整SiC和熔体...
其中,3C-SiC(立方相碳化硅)相对于其他SiC晶型(如4H-SiC和6H-SiC)具有一些优点[1],如与硅技术集成性好、较低的晶格失配、较高的载流子迁移率、成本相对较低,在以下领域有独特的用途,如低功耗、低频率的功率器件,如低压功率开关、低功耗传感器等;具有集成电路需求的应用,包括模拟集成电路、RF集成电路等;对成本...
3C-SiC的带隙较低,但其载流子迁移率、热导率和机械性能优于4H-SiC。绝缘氧化物栅极与3C-SiC之间的界面处的缺陷密度较低,器件基于该晶片可以具有较小的FN隧穿电流和氧化物层制备的可靠性,有利于制造高电压和长寿命的器件,可显著提高器件的产率。
另外,3C-SiC的载流子迁移率、热传导性能、机械性能都优于目前商用的4H-SiC,有助于制造可靠和长寿命的器件,但3C-SiC不稳定,在高于2173 K的高温下会转变成六方多晶。因此,要想实现3C-SiC单晶的稳定生长,需开发新型助溶剂,在温度低于2173K时提高硅基溶液中的C溶解度,以提高溶液法生长3C-SiC单晶的生长速度。
本申请公开了一种高均一性3C‑SiC外延片，属于半导体制备技术领域。该3C‑SiC外延片为异质外延，且3C‑SiC外延片的掺杂浓度的均匀性小于2％，外延片的质量提升，从而可提高外延片的利用率，进而提高采用该外延片制备的半导体器件的性能，提高3C‑SiC外延片的应用价值。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
通过持续的技术进步和深入的机理研究,3C-SiC异质外延技术有望在半导体工业中发挥更加重要的作用,推动高能效电子器件的发展。比如继续探索新的生长技术和策略,如引入HCl气氛以提高生长速率同时保持低缺陷密度,是未来研究的方向;深入研究缺陷形成机制,发展更高级的表征技术,如光致发光和阴极荧光分析,以实现更精准的缺陷控制...
1. 半导体器件:立方碳化硅具有较高的电子迁移率和能隙宽度,使其成为制造高功率、高频率和高温工作的功率电子器件的理想材料。它广泛应用于功率变换器、控制电路、射频功率放大器等领域。 2. 光电子学:立方碳化硅具有优异的光学性能,特别是在紫外光谱范围内。它可以用于制造用于紫外线激光器、探测器、光纤通信系统等领...