2SK3580-01MR-VB 是一款由VBsemi生产的高性能单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。该器件设计用于提供高效率和可靠性,适用于各种电力和开关应用。2SK3580-01MR-VB 的主要特点包括550V的漏极-源极电压(VDS)、±30V的栅极-源极电压(VGS),以及18A的漏极电流(ID)。器件采用Plannar技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON))...
品牌:VBsemi 型号: 2SK3580-01MR-VB 商品编号: 封装规格: TO220F 商品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V)封装:TO220F一款SingleN场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
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