型号 2SK3537-01MR引领中大功率IGBT模块 技术参数 品牌: FE 型号: 2SK3537-01MR引领中大功率IGBT模块 封装: 564P 批次: 21+ 数量: 6666 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 8V 长度: 9.7mm 宽度: 1.1mm 高度: 1.1mm 价格...
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2SK3537-01MR-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。具有200V的漏源电压和20A的漏极电流,适用于中高功率应用。采用Trench技术,具有较低的导通电阻和优异的性能。 ### 详细参数说明 - **型号**: 2SK3537-01MR-VB - **封装**: TO220F - **配置**: 单N沟道 - **漏源电压 (VDS)**: 200V ...
型号 2SK3537-01MR Date Code 2015 Skype hkwinsome3 Electronic Components IC Winsome Integrated Circuits Gold Suppiler Winsome Electronic Crystal oscillator Relay Inductor LED Diode Transistor Capacitor Resistor IGBT module High-frequency tube 包装和发货信息 ...
2SK3079ATE12LQToshiba16+30PW-X-4射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2SK3075(TE12L Q)Toshiba16+315PW-X-4射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 the relation picture of2SK3537-01MR
2SK3537-01MR DatasheetIC型号: 2SK3537-01MR PDF描述: N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件大小: 113.53KB PDF页数: 4页 芯片厂家: FUJI 阅览下载 纠错 0 扫码查看芯片数据手册 上传产品规格书 2SK3537-01MR相关型号PDF文件下载 型号 版本 描述 厂商 下载 2SK30 英文版 SWITCHING N-CHANNEL POWER ...