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品牌/型号:FUJI/富士通/2SK3530-01MR 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号:2SK3530-01MR 材料:硅Si 用途:L/功率放大 品牌:FUJI/富士通 沟道类型:N沟道 种类:结型JFET 导电方式:增强型 '
上架时间 2020-06-04T12:47:06 可售卖地 全国 型号 2SK3530-01MR 产品详情 百度爱采购温馨提示 · 以上商品信息由淘IC提供并负责其真实性、准确性和合法性 点击查看商品来源 · 如该商品有任何问题,请联系第三方网站进行删除,百度会积极协助配合 · 在贸易过程中,请注意谨慎核实商业伙伴各项资源,谨防诈骗 ...
(DIP)场效应:100V-400V:IRFB4310 2SK1101=2SK2952、FDP3652、FS20KM-5、IRF630、IRFS640B。IRLI3615。STP11*40ZFP IRFIB7N50APBF、STP19*20FP(DIP)场效应:500V-900V:2SK1010、2SK2101、2SK3505、2SK3683、FS3KM-18A、IRFS830B、SPA06N80C3\\...等(SMD)场效应:30V-80V:AP60N03、BUK109-50DL、...
起订量 >0 型号 2SK3530-01MR 品牌 FUJI/富士电机 供货量 9462 发货期限 自买家付款之日起3天内 联系方式 (1) 分享到: ◆ (1) 浏览(41) 会员第4年 深圳市新新电子科技有限公司 实体认证: 已认证 商家资质: 公司类型: 主营分类: 电子管,二极管,三极管 ...
2SK3530-01MR DatasheetIC型号: 2SK3530-01MR PDF描述: Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification 文件大小: 31.97KB PDF页数: 1 Pages页 芯片厂家: FUJI [Fuji Electric] 阅览下载 纠错 0 扫码查看芯片数据手册 上传产品规格书 ...