品牌:VBsemi 型号: 2SK3567_06-VB 商品编号: 封装规格: TO220F 商品描述: 台积电流片,长电封测。650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道N型MOSFET,采用Plannar技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
- 高开关速度:2SK3567具有高开关速度,使其能够快速切换导通和关断状态。这在高频应用中尤为重要,如开关电源和高频信号放大电路,有助于提高电路的工作频率和效率。 - 高耐压:2SK3567的漏源击穿电压(V(BR)DSS)较高,通常在600V以上。这使其能够在高电压环境下工作,适用于需要高耐压的电源和工业控制应用。 - 大电...
2SK3567-VB 是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。该器件设计用于提供高效率和可靠性,适用于各种电力和开关应用。2SK3567-VB 的主要特点包括650V的漏极-源极电压(VDS)、±30V的栅极-源极电压(VGS),以及4A的漏极电流(ID)。器件采用Plannar技术,具有较高的导通电阻(RDS(ON))和可靠的性能,适用于...
百度爱采购为您找到37条最新的2SK3567产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
2SK3567_06-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。具有650V的漏源电压和4A的漏极电流,适用于需要高电压和中低功率处理能力的电子设备中。 ### 详细参数说明 - **型号:** 2SK3567_06-VB - **封装:** TO220F - **配置:** 单N沟道
2SK3567 -> Marking K3567. • Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 1.7 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.5 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 100 μA (max) (VDS= 600 V) • Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 ...
2SK3567 2SK2750,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,600V,3.5A 2SK3667,TO-220F定型脚,TOSHIBA,DIP/MOS,N场,600V,7.5A,1Ω2SK3569 TO-220F定型脚 TOSHIBA DIP/MOS N场 600V 10A 0.75ΩTK6A60D TO-220F定型脚 TOSHIBA DIP/MOS N场 600V 6A 1.25Ω2SK3371 SOT-252 TOSHIBA SMD/MOS N场 600V 1A 9...
价格 ¥ 1.00 起订数 100个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 2SK3567(Q,M)、 TOSHIBA、 TO-220F 商品图片 商品参数 品牌: TOSHIBA 封装: TO-220F 批号: 10+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C ...
2SK3567_06中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 2SK3567、 TOSHIBA、 TO-220F 商品图片 商品参数 品牌: TOSHIBA 封装: TO-220F 批号: 1151+ 数量: 78000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 2V 最大...