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2SK3569-VB 是一款单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为TO220F。具有650V的漏源极电压和低导通电阻,在中高压电源管理和开关电路中有着广泛的应用。采用了Plannar技术,具有优异的电气性能和可靠性。 ### 二、2SK3569-VB 详细参数说明 ...
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发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 2SK3569、 VB、 大功率MOS管、 大功率场效应管、 大电流MOS管、 大电流场效应管 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 12A 功率(Pd): 106W;34W 导通电...
2SK3569_06-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为 TO220F。该型号 MOSFET 具有高漏源电压和适中导通电阻,适用于需要高性能和中等功率处理能力的电源管理和开关应用。它采用 Plannar 技术,具有良好的稳定性和可靠性。 ### 2SK3569_06-VB 详细参数说明 ...
型号 2SK3569 技术参数 品牌: TOSHIBA东芝 型号: 2SK3569 封装: TO-220FTO-220IS 批号: 21+ 数量: 50 制造商: Toshiba 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220FP-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 10...