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2,500pcs/盘 10pcs 起购 购买数量 pcs 整包数 盘 合计 ¥101.52 详细参数 商品编码10TOS068193 原厂编码2SK3564(STA4,Q,M) 品牌东芝(TOSHIBA) 毛重0.4 封装规格TO-220F 类型N沟道 电压(Vdss)900V 额定工作电流(ID)3A PDF预览 规格书下载
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型号 2SK3564 MOS管(MOSFET场效应管) 可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟...
2SK3564(STA4,Q,M) 全球供应商 全球供应商 (7家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -4158立即发货1RMB ¥税10.15210.15210.15210.15210.152购买 得捷 美国100立即发货1RMB ¥税13.26811.8519.2376.0245.141购买 ...
2SK3564-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。它具有950V的漏源极电压(VDS),适用于高压应用。采用了Plannar技术,具有良好的性能和可靠性。 ### 产品参数说明 - **封装类型**:TO220F - **配置**:单N沟道 - **漏源极电压(VDS)**:950V ...
2SK3564_06-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。这款MOSFET具有950V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS),适用于超高压功率开关和控制应用。其采用Plannar技术,具有较高的阻断电压和适中的漏极电流(ID)能力,适用于超高压和低功率要求的场合。