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2SK3561-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为 TO220F。该型号 MOSFET 具有高漏源电压和低导通电阻,适用于需要高性能和中等功率处理能力的电源管理和开关应用。它采用 Plannar 技术,具有优良的稳定性和可靠性。 ### 2SK3561-VB 详细参数说明 ...
部件名2SK3561 下载2SK3561下载 文件大小1582.74 Kbytes 页73 Pages 制造商TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述BipolarSmall-SignalTransistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号2SK3561-VB 商品编号C29778772 商品封装TO-220F 包装方式 管装 商品毛重 1.77克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 650V 连续漏极电流(Id) 8A 导通电阻(RDS(on)) 820mΩ@10V,4A 耗散功率(Pd) 178W 属...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 三极管 、 功率开关晶体管 商品关键词 进口全新2SK3561场效应管8A500VNPN道K35、 TOSHIBA 商品图片 商品参数 品牌: TOSHIBA 数量: 13138 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 9....
百度爱采购为您找到9家最新的2SK3561产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
データシート 2SK3561 データシート/日本語 PDF: 307KB 2009年09月 データシート 2SK3561 データシート/英語 PDF: 227KB 2009年09月 アプリケーションノート MOSFET SPICE モデルグレード PDF: 1939KB 2023年05月 アプリケーションノート 電気的特性: パワーMOSFET アプリケー...