综上所述,2SK3497-VB 适用于需要高性能和高功率处理能力的电子设备和系统中,特别是在需要高漏源电压和低导通电阻的应用中表现突出。
2SK3497 High Power Amplifier Application z High breakdown voltage: VDSS = 180V z Complementary to 2SJ618 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain −source voltage V DSS 180 V Gate −source voltage V GSS ±12 V DC (Note 1) I D 10 A ...
2SK3497(F) 数量:31186 厂商:TOSHIBA CORP 批号:21+ 封装:原厂原装 只做原装正品 假一罚十Toshiba/东芝 购买、咨询产品请填写询价信息 询价型号*数量*批号封装品牌其它要求请确认联系方式,3分钟内即可给您回复 *姓名: *电话: Q Q: *邮箱: 提交询价信息 ...
2SK3497 157Kb/5PHigh Power Amplifier Application 2SK3497 1Mb/73PBipolar Small-Signal Transistors Inchange Semiconductor ...2SK3497 330Kb/2Pisc N-Channel MOSFET Transistor Toshiba Semiconductor2SK3497 114Kb/3PSilicon N Channel MOS Type High Power Amplifier Application ...
品牌:TOS 型号:2SK3497F 批号:新年份 封装形式:TO220 类型:数字集成电路 用途:通信 功能:逻辑电路 导电类型:双极型 封装外形:TO220 集成度:中规模欢迎光临深圳市欧和宁电子科技有限公司(李小姐:0755-29275935 18576729816微信同号 QQ:1269876724) 深圳市欧和宁电子科技有限公司是一家专业经营IC电子元器件企业。代理...
K3497 2SK3497 供应二三极管,MOS场效应品牌/商标: TOSHIBA/东芝 型号/规格: K3497 2SK3497 种类: 结型(JFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 增强型 用途: A/宽频带放大 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: ALGaAS铝镓砷 欢迎光临鹏信达电子经营部(张私鹏)专营各类旧机拆板三*管(场效应,整流,快速,恢复,...
2SK3497 with EDA / CAD Models manufactured by TOSHIBA. The 2SK3497 is available in TO-3P Package, is part of the IC Chips. 技术参数 制造商 TOSHIBA 包装 Tape & Reel (TR)/Cut Tape (CT)/Tray/Tube RoHs Status Lead free / RoHS Compliant ...
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2SK3497_06 Datasheet IC型号: 2SK3497_06 PDF描述: Silicon N Channel MOS Type High Power Amplifier Application 文件大小: 114.72KB 芯片厂家: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 扫码查看芯片数据手册 上传产品规格书
### 2SK3497-VB MOSFET 产品简介 2SK3497-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为 TO3P。该型号 MOSFET 具有高漏源电压和低导通电阻,适用于需要高性能和高功率处理能力的电源管理和开关应用。它采用 Trench 技术,具有优良的稳定性和可靠性。