2SK3479-Z-VB 的高功率处理能力和低导通电阻使其成为这些系统中的理想选择,有助于提高电池的充放电效率和安全性。 综上所述,2SK3479-Z-VB 适用于需要高性能和高功率处理能力的电子设备和系统中,特别是在需要高漏源电压和低导通电阻的应用中表现突出。
找2SK3479-Z-AZ规格参数技术文档,厂家,现货等,上阿里巴巴IC专业市场。为你找到129条2SK3479-Z-AZ型号,品牌,封装,批号,价格,图片等信息,批发采购2SK3479-Z-AZ,上阿里巴巴1688 IC频道。
品牌名称RENESAS(瑞萨)/IDT 商品型号2SK3479-Z-E1-AZ 商品编号C3291130 商品封装TO-263 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 83A 导通电阻(RDS(on)) 11mΩ@10V,42A 耗...
的2SK3479是N沟道MOS场效应晶体管 设计用于高电流的开关应用。 订购信息 产品型号 2SK3479 2SK3479-S 2SK3479-ZJ 2SK3479-Z 包 TO-220AB TO-262 TO-263 TO-220SMD 记 特点 超低导通电阻: R DS(on)1 = 11 mΩ以下。 (V GS = 10 V,I
参数信息 颜色分类 KBPC25010T,2SK3479-Z-E1-AZ 图文详情 0 本店推荐 955-015-020R121【D-Sub 15P 180/30D Qk Lock Metalized Plastic ¥[1_7ij1w4tp#51#XV1dXVAMJgGVEzIEvwFvC6kM4gofA4ABmw/sPCEPXAb9PZsDEwhyCXUTfxPbEuwBdRNRC8cC9QeaCK8DtAJmDZIKsAjMA1IFGgEGAFECVRKNC6QMPg18BPEJ7guw] LAMA...
立创商城提供RENESAS(瑞萨)/IDT的场效应管(MOSFET)2SK3479-Z-AZ中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购2SK3479-Z-AZ上立创商城
盛夏芯片 4.5 商品体验优秀 服务体验良好 物流体验一般 已售少于100 ￥5.09点击查看更多 配送: 广东广州至 北京东城 快递: 100.00春节快递紧张,先买先发货 保障: 7天无理由退货 参数: 颜色分类:2SK3479-Z-E1-AZ 查看更多 参数信息 品牌 lx 颜色分类
2SK3479-Z-E1-AZ 参数 Datasheet PDF下载 型号: 2SK3479-Z-E1-AZ PDF下载: 下载PDF文件 查看货源 内容描述: 切换N沟道功率MOS FET [SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET] 分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关 文件页数/大小: 10 页 / 213 K 品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]...
制造商编号 2SK3479-Z-AZ 制造商 Renesas(瑞萨) 唯样编号 L-2SK3479-Z-AZ 供货 Rochester 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值...
Source 2SK3479-Z-E1 direct from stocking distributors and other suppliers. Find 2SK3479-Z-E1 parts and datasheets using netCOMPONENTS, the world's largest electronic component sourcing site.