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型号 2SK3476(TE12L,Q) 技术参数 品牌: TOSHIBA 型号: 2SK3476(TE12L,Q) 封装: PW-X 批号: 2021+ 数量: 10000 制造商: Toshiba 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel Id-连续漏极电流: 3 A Vds-漏源极击穿电压: 20 V 增益: 11.4 dB 输出功率...
2SK3476(TE12L,Q 由Toshiba 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 2SK3476(TE12L,Q 价格参考￥ 0 。 Toshiba 2SK3476(TE12L,Q 封装/规格: 5N1A-2, MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A。你可以下载 2SK3476(TE12L,Q 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有...
商品型号 2SK3476(TE12L,Q 商品编号 C224377 商品封装 2-5N1A 包装方式 编带 商品毛重 0.173克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 数量1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)3A 属性参数值 导通电阻(RDS(on))- ...
2SK3476 2002-01-09 1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK3476 VHF- and UHF-band Amplifier Applications · Output power: P O = 7.0 W (min) · Gain: G P = 11.4dB (min) · Drain efficiency: ηD = 60% (min)Maximum Ratings (Ta = 25°C)Characte...
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