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型号 2SK3476(TE12L,Q) 技术参数 品牌: TOSHIBA 型号: 2SK3476(TE12L,Q) 封装: PW-X 批号: 2021+ 数量: 10000 制造商: Toshiba 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel Id-连续漏极电流: 3 A Vds-漏源极击穿电压: 20 V 增益: 11.4 dB 输出功率...
品牌名称TOSHIBA(东芝) 商品型号 2SK3476(TE12L,Q 商品编号 C224377 商品封装 2-5N1A 包装方式 编带 商品毛重 0.173克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)3A ...
部件名2SK3476 下载2SK3476下载 文件大小1582.74 Kbytes 页73 Pages 制造商TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述BipolarSmall-SignalTransistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 ...
2SK3476功率放大管 下载积分: 900 内容提示: 2SK3476 2014-03-01 1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK3476 VHF- and UHF-band Amplifier Applications (Note)The TOSHIBA products listed in this document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications ...
MOSFETs Toshiba 2SK3476(TE12L,Q 询价 产品分类 MOSFETs 封装/外壳 5N1A-2 零件状态 Active 是否无铅 无铅/ 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 晶体管类型 N沟道 安装类型 SMT 工作温度 +150℃ 漏源电压(Vdss) 20V 不同Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)...