打印页面 功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 1.6 ohm, SOT-523F, 表面安装 图片仅用于图解说明,详见产品说明。 制造商ONSEMI 制造商产品编号2N7002T 库存编号2322570 技术数据表 Data Sheet UltraLibrarian 查看所有技术文档 添加进行比较 ...
2N7002T由onsemi(安森美)设计生产,立创商城现货销售。2N7002T价格参考￥0.7044。onsemi(安森美) 2N7002T参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):73mA;导通电阻(RDS(on)):2.53Ω@10V,0.5A;耗散功率(Pd):200mW;阈值电压(Vgs(th)):2V;输入
制造商onsemi 商标onsemi / Fairchild 产品MOSFET Small Signal 技术类参数 技术Si 晶体管极性N-Channel 通道数量1 Channel 漏源击穿电压60 V 漏极电流115 mA 漏源电阻7.5 Ohms 栅极电压- 20 V, + 20 V 栅源极阈值电压1 V 栅极电荷- 耗散功率200 mW ...
ONSEMI安森美 SOT323 24+ ￥1.3200元1~9 PCS ￥1.2200元10~99 PCS ￥1.0800元>=100 PCS 深圳市中芯巨能电子有限公司 6年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 2N7002T 场效应管 CJ/长电 封装原厂原封 批次23+ 2N7002T 50000 CJ/长电
2N7002LT7G由onsemi(安森美)设计生产,立创商城现货销售,正品保证,参考价格￥0.1175,封装为SOT-23。商城还提供2N7002LT7G专业中文资料、详细参数、引脚图、PCB焊盘图,典型应用图,Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。参数:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):60V;
美台 DIODES CJ/长电 安森美 PANJIT 有强/YQ PXN XW/鑫沃 HAMOS汉姆 ELECSUPER/静芯微 长晶 onsemi RICHPOWER 东芝 SENSIRION/盛思锐 UTC 佳芯恒业 MSKSEMI JCET VBsemi/微碧半导体 NEXPERIA/安世 PHILIPS Slkor/萨科微 银河微电子 KEXIN科信 MCC 恩智浦 更多 最小电源电压 4.5v 1.5v 3.5v 最大电源电压 6.5...
2N7002LT7G 由 ONSEMI/安森美 设计生产,华强电子网国产品牌站提供2N7002LT7G相关产品信息及供货商联系方式。ONSEMI/安森美 2N7002LT7G 封装/规格:NA , ONSEMI/安森美2N7002LT7G。您可以在 2N7002LT7G 规格书,Datesheet,PDF数据手册中了解2N7002LT7G详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
主营产品:TI/德州仪器;ADI/亚德诺;MICROCHIP/微芯;ST/意法;NEXPERIA/安世;ONSEMI/安森美;INFINEON/英飞凌;VISHAY/威世;DIODES/美台;LRC/乐山 所在地:深圳市福田区 沙头街道天安社区泰然四路25号 员工人数:1 人以上 资质证书>更多公司信息> 经营模式:经销批发 ...
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低RDS(ON)高密度电池设计 材料:无卤素 可靠坚固 雪崩额定 低漏电流 应用领域: PWM应用 负载开关 便携式/台式pc电源管理领域 DC/DC转换 引脚配置 文档 用户手册 ElecSuper(静芯微)_2N7002T数据手册(英文) 行业资料 onsemi(安森美)_功率MOSFET雪崩应用指南(中文)onsemi(安森美)_沟道MOSFET在线性工作模式下实现稳定...