原装2N7002 丝印:7002 封装:SOT23 场效应管 60V 115mA N沟道 深圳市华芯捷电子有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥32.00成交1050K 加工定制场效应管2N7002 SOT-23 N沟道低压MOS管 丝印7002三极管 江苏新邦微半导体有限公司4年
您好，亲。早上好！很高兴为你解答三级2N7002与2N7002-N有什么区别，是一个是正常功率一个是，小功率，2N7002-N即是小功率的。2N7002 2n7002 IC产品型号的一种2n7002:IC产品型号的一种晶体管极性：N沟道漏极电流， Id 最大值：280mA电压， Vds 最大：60V开态电阻 ...
类型 N沟道MOS管 型号 2N7002 低压MOS管 2N7002的特点: 高密度电池设计,低内阻 电压控制小信号开关 高饱和电流能力 封装:SOT-23 低压MOS管 2N7002的引脚图: 低压MOS管 2N7002的极限值: (如无特殊说明,TA=25℃) 漏极-源极电压 VDS 60V 漏极电流-连续 ID 115mA 功耗PD 225mW 热阻,结到环境 R...
FET类型 N沟道MOSFET 漏源电压(Vdss) 60V 漏极电流(Id) 115mA 栅源电压(Vgs) ±20V 最大耗散功率 225 配置类型 Single 工作温度范围 -55℃ ~ +150℃ 安装类型 SMD/SMT 应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军 可售卖地 全国 型号 2N7002 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价...
合科泰生产的2N7002DW是一种N+N沟道混合MOS管，其性能参数非常优秀，漏源电压60V，栅源电压±30V，连续漏极电流0.3A，漏源导通电阻1.9Ω，最小栅极阈值电压1V，最大栅极阈值电压2.5 V，耗散功率150mW。2N7002DW可用于电动工具、液晶电视、电动自行车、电源、安防、电机等应用。它具有低导通电阻、低栅极阈值...
MOS管2N7002 60VN沟道场效应管 7002中文规格书 MOS管2N7002的引脚图: MOS管2N7002的极限值(如无特殊要求,TA=25℃): 漏极-源极电压 VDS:60V 漏极电流-连续 ID:115mA 功耗PD:225mW 结温TJ:150℃ 存储温度 Tstg:-55~150℃ MOS管2N7002的电特性(如无特殊要求,TA=25℃): ...
型号:2N7002 封装:SOT-23 品牌:ElecSuper 描述:带ESD防护 金额:￥0.04160 去购买 MOSFETs 型号:2N7002 封装:SOT-23 品牌:MDD 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):300mW 金额:￥0.06048 去购买 MOSFETs 型号:2N7002 封装:SOT-23 品牌:BORN 描述:MOSFETs Vds...
沟道类型 N/ESD VDDS 60V VGS ±30V ID 0.2A RDSON 4000mΩ 封装PACKAGE SOT-23 系列 场效应管/MOS管 包装 3000/盘 特色服务 质量保证 技术支持 可售卖地 全国 型号 2N7002K 场效应管2N7002KMOS管2N7002K封装SOT-23 2N7002K N管2N7002K 大量供应 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,...
MOS管2N7002 60VN沟道场效应管 7002中文规格书 MOS管2N7002的引脚图: MOS管2N7002的极限值(如无特殊要求,TA=25℃): 漏极-源极电压 VDS:60V 漏极电流-连续 ID:115mA 功耗PD:225mW 结温TJ:150℃ 存储温度 Tstg:-55~150℃ MOS管2N7002的电特性(如无特殊要求,TA=25℃): ...
型号:2N7002-VB 丝印:VB162K 品牌:VBsemi 参数说明: - N沟道 - 额定电压:60V - 最大电流:0.3A - 静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V, 20Vgs(±V) - 阈值电压(Vth):1.6V - 封装类型:SOT23 应用简介: 2N7002-VB是一款N沟道MOSFET晶体管,适用于多种电子设备和应用领域,具有低电压和...