品牌 NEXPERIA 封装 SOT23 批号 22+ 数量 32000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 90C 最小电源电压 4V 最大电源电压 9V 长度 7.5mm 宽度 1.2mm 高度 2.7mm 可售卖地 全国 型号 2N7002 深圳市达芯源科技有限公司是一家专业化的电子元器件供应商,具有多年...
Nexperia (安世) 晶体管, MOSFET, 沟, N沟道, 270 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V查看详情 SOT-23 26周 在产 2020年 ¥0.101 数据手册 器件3D模型 规格参数 反馈错误 by FindIC.com 价格库存 规格参数 数据手册 2N7002NXBKR 全球供应商 ...
2N7002 - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Trench MOSFET technology.
交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):4小时发货 库存: 1111(5起订) 批次: 2年内 数量: X0.11918(单价)「卷装(TR)/3000」 总价: ￥ 0.5959 品牌:Nexperia(安世) 型号:2N7002NXAKR 商品编号:G4736237 封装规格:SOT-23 商品描述:MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=0.3A RDS(ON)=4.5Ω@10V SO...
2N7002BKMB - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Nexperia2N7002BK,215N沟道MOSFET是一款高效能的Trench MOSFET,设计用于表面贴装技术,适合各种高频和高效能的应用。其逻辑电平兼容性和极快的开关速度使其在现代电子设计中具有广泛的应用潜力。高达2 kV的ESD保护能力和AEC-Q101认证的高可靠性设计,确保了在汽车电子和其他高要求应用中的优异表现。(买电子元器件上安玛...
品牌: Nexperia 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 360mA 功率(Pd): 350mW 导通电阻: 1.6Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.4V 栅极电荷(Qg@Vgs): 800pC 输入电容(Ciss@Vds): 50pF@10V 工作温度: -55℃~+150℃ 封装/规格: SOT-23 包装: 盒装 最小包装量: 3000 封装...
品牌: NEXPERIA/安世 型号: 2N7002CK 封装: Cute Tape 批号: 2023 数量: 3582 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: * 产品状态: 在售 产品应用: 电子设备 产品类别: 电子元器件 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 是否支持样品: 是 产品认证: UL...
商品型号:2N7002P,215 产品状态:不适用于新设计 封装规格:SOT-23 数据手册: 商品编号:L103205034 商品参数 选型手册 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 Nexperia(安世) 封装规格 SOT-23 包装 盘 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 25℃时电流-连续漏极(Id) 360mA(Ta) 驱动电压...
2N7002P,215 由Nexperia 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 chip1stopfuturetme 等渠道进行代购。 2N7002P,215 价格参考￥ 0.13251 。 Nexperia 2N7002P,215 封装/规格: SOT-23, MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=360mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SOT23-3。你可以下载 2N7002P,215 中文资料、引...