2N7002A-7封装SOT-23(SOT-23-3)场效应管(MOSFET) 深圳市希言半导体有限公司 2年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.28 原装2N7002A-7二极管电子元器件一个起售 支持订货 北京京北通宇电子元件有限公司 10年 月均发货速度: 暂无记录 北京市海淀区 ¥0.08 2N7002A-7 MN1 SOT-23...
型号: 2N7002A-7 批号: 18+ 封装: SOT-23 数量: 3000000 QQ: 575915585 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 220 mA Rds On-漏源...
MOSFETs DIODES 2N7002A-7 数量国内含税 1+￥0.16111 30+￥0.15600 100+￥0.15088 500+￥0.14065 1000+￥0.13553 2000+￥0.13246 华秋自营合作库存海外代购 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):1个工作日内 库存: 8087(1起订) 批次: 2年内,超3年...
DIODES(美台) 商品型号 2N7002A-7 商品编号 C139446 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.028克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)- 导通电阻(RDS(on))6Ω ...
2N7002A 系列 60 V 60 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3查看详情 SOT-23-3 5周 在产 2009年 ¥0.094 数据手册(12) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (2) 反馈错误 by FindIC.com 2N7002A-7 全球供应商 全球供应商 (9家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£...
型号: 2N7002A-7 封装: SOT-23 批号: 20+ 数量: 6000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: Diodes Incorporated FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V 不同Id、Vgs 时导通...
型号/规格:2N7002A-7 极性:NPN型 封装形式:SOT-23 详细介绍 企业详情 品牌/商标Diodes型号/规格2N7002A-7 应用范围功率材料硅(Si) 极性NPN型集电极允许电流ICM0.8(A) 集电极耗散功率PCM0.25(W)截止频率fT1(MHz) 结构平面型封装形式SOT-23 封装材料塑料封装 ...
###产品简介VBsemi的2N7002A-7-F-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了Trench技术制造,具有低漏源极电压和适中的导通电阻。该器件适用于低压低功率应用,如电源管理、信号开关和驱动器。2N7002A-7-F-VB采用SOT23-3封装,体积小巧,适合于需要高集成度和小尺寸的电路设计。###详细
2N7002A-7 由DIODES 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stoparrowfuture 等渠道进行代购。 2N7002A-7 价格参考￥ 0.7733 。 DIODES 2N7002A-7 封装/规格: SOT-23, MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=6Ω@5V SOT23-3。你可以下载 2N7002A-7 中文资料、引脚...
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