批次: 超3年 数量: X0.32539(单价)「卷装(TR)/3000」 总价: ￥ 6.5078 品牌:JSCJ(长晶) 型号:2N7002KDW 商品编号:G4665107 封装规格:SOT-363 商品描述:MOS管 SOT-363 N沟道 60V 340mA 5Ω 150mW 数据手册 商品详情 PDF数据手册 技术文档 产品分类 ...
MOSFETs CBI 2N7002KDW 数量国内含税 20+￥0.12400 200+￥0.11600 500+￥0.10800 1000+￥0.10000 3000+￥0.09600 6000+￥0.09040 华秋自营合作库存 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):1个工作日内 库存: 2400(20起订) 批次: 2年内 数量: X0.124(单价)「卷装(TR)/3000」...
2N7002KDW 2N7002 CJ长晶 SOT-363 场效应管 原装直拍 2N7002KDW 3210 CJ长晶 SOT-363 2年内 ￥0.3000元10~99 个 ￥0.2300元100~299 个 ￥0.1800元300~-- 个 深圳市港禾科技有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 2N7002KDW 702 场效应管(MOSFET) SOT-363 KEFAN/科范 2N7002KDW702 ...
品牌名称 PANJIT(强茂) 商品型号 2N7002KDW_R1_00001 商品编号 C106992 商品封装 SC-70-6(SOT-363) 包装方式 编带 商品毛重 0.029克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)115mA ...
在2n7002kdw中,有三个电极:源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。源极和漏极之间是一个N型半导体通道。当栅极相对于源极施加合适的电压时,就会在栅极下方的半导体区域形成一个电场。这个电场会改变通道中的载流子浓度,从而控制从源极到漏极的电流流动。如果栅极电压足够大,会使通道中的载流子大量聚集,形成一个低电阻的...
2N7002KDW_R1_00001由PANJIT设计生产。2N7002KDW_R1_00001封装/规格:栅极电荷(Qg)/800pC@4.5V:阈值电压/2.5V@250μA:功率耗散/200mW:额定功率/200mW:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/6Pin:高度/1.00mm:长x宽/尺寸/2.20 x 1.35mm:原产国家/China Taiwan:原始制造商/PANJI...
2N7002KDW SOT-363由JCET设计生产。2N7002KDW SOT-363封装/规格:栅极电荷(Qg)/30nC:阈值电压/1.3V:漏极电流/1µA:功率耗散/150mW:额定功率/150mW:充电电量/30nC:栅极源极击穿电压/±20V:极性/N-沟道:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/6Pin:高度/1.10mm:长x宽/尺寸/2.20 x 1.35mm:输入电容/40pF:不同...
品牌名称 CJ(江苏长电/长晶) 商品型号 2N7002KDW 商品编号 C83502 商品封装 SC-70-6(SOT-363) 包装方式 编带 商品毛重 0.032克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)340mA ...
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