2N7002_NL 技术参数 是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete 零件包装代码:SOT-23包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 针数:3Reach Compliance Code:compliant ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95 风险等级:5配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.115 A ...
型号:2N7002-NL-VB 商品编号: 封装规格:SOT23-3 商品描述:台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V)封装:SOT23-3适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,...
由于其低漏源电阻和高阈值电压,该器件可用于传感器接口,用于处理传感器输出信号。 总的来说,VBsemi 2N7002MTF-NL-VB MOSFET 可在信号开关、电压级移器、电路保护和传感器接口等领域中发挥作用,为各种低功率应用提供高效能的解决方案。
**VBsemi 2N7002T-NL-VB SC75-3** 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用槽沟道(Trench)技术制造。该器件具有低漏极电阻和低门限电压,适用于低压开关和电源管理应用。 ### 详细参数说明 - **型号**:2N7002T-NL-VB- **封装**:SC75-3- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (VDS)**:60V- **栅源电压 ...
2N7002MTF_NL PDF描述: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-El... 文件大小: 95.53KB PDF页数: 7页 芯片厂家: FAIRCHILD 扫码查看芯片数据手册 上传产品规格书 PDF预览 1 2 3 4 5 6 7 November 1995 2N7000 / 2N7002 / NDS7002A ...