2n7000g参数 参数类别 参数名称 典型值/范围 单位 备注与说明 基础特性 型号标识 2N7000G - 封装形式：TO-92（塑封直插）或SOT-23（贴片）极性 N沟道增强型 - 栅极电压控制导通，适合开关/放大电路 电气参数 漏极-源极击穿电压（VDSS）60V（最小值）V 最大允许漏极-源极电压，超过此值可能击穿 栅极-源极...
2N7000-G中文参数 制造商:Microchip 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装/箱体:TO-92-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:200 mA Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV ...
图片原厂型号制造商数据手册分类关键参数单价库存操作 2N7000-G Microchip Technology 数据手册 通用MOSFET N-Channel 60V 200mA(Tj) ±30V 5Ω@500mA,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-92-3 ￥2.2996 1,974 当前型号 ZVN3306ASTZ Diodes Incorporated 数据手册 通用MOSFET N-Channel 625mW(Ta) ±20V...
爱企查为您提供深圳市易卖电子有限公司2N7000-G 中文资料 规格书 参数 引脚图 PDF手册 场效应管 MICROCHIP 微芯等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多lga50a-15、mc1741cp1、晶闸管、mb87p2040、cnt
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Vgs(th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA Vgs (Max) : ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V Power Dissipation (Max) : 350mW (Tc) Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type : Through Hole
唯样商城为您提供Microchip Technology设计生产的2N7000-G 元器件,主要参数为:N-Channel 60V 200mA(Tj) ±30V 5Ω@500mA,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-92-3,2N7000-G库存充足,购买享优惠!
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唯样编号 C-2N7000G 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 未分类 FET类型 N-Channel 漏源极电压Vds...