免费查询更多场效应管 2n7000g详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
厂商名称:Microchip 元件分类:MOS管 中文描述: 功率场效应管,MOSFET,N通道,60 V,200 mA,5 ohm,TO-92,通孔 英文描述: N-Channel 60 V 200mA(Tj)1W(Tc)Through Hole TO-92-3. 数据手册: 在线购买:立即购买 2N7000-G概述 60V,5欧姆,N通道,增强模式,垂直DMOS FET ...
2N7000-G场效应管是一种广泛应用于电子电路中的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。由于其优良的电气特性和相对简单的驱动方式,2N7000-G在低功率开关和模拟信号处理等领域得到了广泛应用。本文将探讨2N7000-G的基本特性、工作原理、应用领域以及其在现代电子技术中的重要性。 1. 基本特性 2N7000-G的主要特性包括其...
唯样商城为您提供Microchip Technology设计生产的2N7000-G 元器件,主要参数为:N-Channel 60V 200mA(Tj) ±30V 5Ω@500mA,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-92-3,2N7000-G库存充足,购买享优惠!
唯样商城为您提供Microchip Technology设计生产的2N7000-G 元器件,主要参数为:N-Channel 60V 200mA(Tj) ±30V 5Ω@500mA,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-92-3,2N7000-G库存充足,购买享优惠!
2N7000G 概述 N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET N沟道60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO- 92的STripFET功率MOSFET 2N7000G 数据手册 通过下载2N7000G数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等...
2N7000G 技术参数 是否无铅:不含铅生命周期:Obsolete 零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 针数:3Reach Compliance Code:compliant ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95 风险等级:6.83配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.2 A ...
2N7000G 数据手册 2N7000 2N7002 N-channel 60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET™ Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID 3 2N7000 2N7002 60V 60V <5Ω (@10V) 0.35 <5Ω (@10V) 0.20 2 1 ■ Low Qg ■ Low threshold drive ...
2N7000G中文资料 © Semiconductor Components Industries, LLC, 2007 March, 2007 − Rev. 61Publication Order Number:2N7000/D 2N7000 Preferred Device Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 Features •Pb−Free Packages are Available* MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value ...
类似零件编号 - 2N7000G 制造商部件名数据表功能描述 STMicroelectronics2N7000G 383Kb/14PN-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET ON Semiconductor2N7000G 57Kb/4PSmall Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N?묬hannel TO??2 200 mAMPS 60 VOLTS ...