通过以HKMG工艺技术的相关中国专利为基础,对HKMG工艺的专利布局进行分析发现该相关技术在中国的发展目前主要涉及以下特点:HKMG后栅工艺(Gate last)是目前HKMG工艺的主流工艺路线;金属栅结构的制造技术是HKMG后栅工艺的关键技术;金属栅极的化学机械研磨(CMP)技术是HKMG工艺技术升级的突破口。 一、HKMG后栅工艺技术是目前HK...
通过以HKMG工艺技术的相关中国专利为基础,对HKMG工艺的专利布局进行分析发现该相关技术在中国的发展目前主要涉及以下特点:HKMG后栅工艺(Gate last)是目前HKMG工艺的主流工艺路线;金属栅结构的制造技术是HKMG后栅工艺的关键技术;金属栅极的化学机械研磨(CMP)技术是HKMG工艺技术升级的突破口。 一、HKMG后栅工艺技术是目前HK...
Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术,这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极;与此相对的是Gate-first工艺,这种工艺的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的退火工步完成之前便生成金属栅极。 Intel是Gate-last工艺的坚决拥护者,从45nmHKMG...
通过以HKMG工艺技术的相关中国专利为基础,对HKMG工艺的专利布局进行分析发现该相关技术在中国的发展目前主要涉及以下特点:HKMG后栅工艺(Gate last)是目前HKMG工艺的主流工艺路线;金属栅结构的制造技术是HKMG后栅工艺的关键技术;金属栅极的化学机械研磨(CMP)技术是HKMG工艺技术升级的突破口。 一、HKMG后栅工艺技术是目前HK...
尽管双方都宣称自己的工艺更适合HKMG晶体管，但未有实际产品出世证明谁更优越。率先在2012年攻克了28nm HKMG制程的台积电证明了更少人看好的 Gate-Last更具潜力与优势，推出适用于高频的28nm而后继续向20nm前进。台积电工艺节点发展历程，图片源自台积电官网 而这一次在HKMG上的选择让台积电大获全胜，营收与获利屡创新高...
据西南证券的调研报告显示,当时三星与格罗方德同时选择了先闸极 (Gate-first)方案,而台积电独自选择了后闸极(Gate-last)方案,这种选择让台积电在技术上取得了突破。借以在28nm技术上的突破,台积电将三星与格罗方德远远地甩在身后。 如果说,IDM厂商的转型和台积电本身在28nm身上的投入是地利和人和。那么,2012年智能...
TSMC的28nm工艺是其首次采用HKMG(高K金属栅)工艺,同时也是首次使用Gate-Last工艺,不仅需要代工厂对工序和制造工艺进行调整,还需要IC设计方对电路的布局进行较大调整,只有这样才可以克服Gate-Last工艺中的一些缺陷,保证新工艺生产出的芯片密度不变,因此迟迟不能量产。
率先在2012年攻克了28nm HKMG制程的台积电证明了更少人看好的 Gate-Last更具潜力与优势,推出适用于高频的28nm而后继续向20nm前进。 台积电工艺节点发展历程,图片源自台积电官网 而这一次在HKMG上的选择让台积电大获全胜,营收与获利屡创新高,将彼时最大竞争对手三星、GF远远甩在身后。在迅速转向28nm的2012年,台积电在第...
通过以HKMG工艺技术的相关中国专利为基础,对HKMG工艺的专利布局进行分析发现该相关技术在中国的发展目前主要涉及以下特点:HKMG后栅工艺(Gate last)是目前HKMG工艺的主流工艺路线;金属栅结构的制造技术是HKMG后栅工艺的关键技术;金属栅极的化学机械研磨(CMP)技术是HKMG工艺技术升级的突破口。一、HKMG后栅工艺技术是目前...
据西南证券的调研报告显示,当时三星与格罗方德同时选择了先闸极 (Gate-first)方案,而台积电独自选择了后闸极(Gate-last)方案,这种选择让台积电在技术上取得了突破。借以在28nm技术上的突破,台积电将三星与格罗方德远远地甩在身后。 如果说,IDM厂商的转型和台积电本身在28nm身上的投入是地利和人和。那么,2012年智能...