自2015年中芯国际(SMIC)成功量产28nm产品以来,我国集成电路的产业化技术已进入28nm制程的高端主流工艺节点。作为28nm制程的主要技术方向之一,采用“金属栅极(Metal Gate)+高介电常数绝缘层(High-k)”的栅结构(以下简称“HKMG”),能够有效解决栅介质薄弱导致的漏电或多晶硅栅耗尽效应等一系列问题,并可提供较佳的效能表...
28nm HKMG结构是指采用金属栅极(Metal Gate)+高介电常数绝缘层(High-k)的栅结构。 HKMG工艺在半导体业界分为两大阵营:以IBM为代表的先栅极(Gate first)工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火步骤完成之前便生成金属栅极;以Intel为代表的后栅极工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子...
自2015年中芯国际(SMIC)成功量产28nm产品以来,我国集成电路的产业化技术已进入28nm制程的高端主流工艺节点。作为28nm制程的主要技术方向之一,采用“金属栅极(Metal Gate)+高介电常数绝缘层(High-k)”的栅结构(以下简称“HKMG”),能够有效解决栅介质薄弱导致的漏电或多晶硅栅耗尽效应等一系列问题,并可提供较佳的效能表...
在集成电路中,刚才用水龙头作比喻的高防水性,对应的就是介电常数K,高介电常数,就是所谓的高K,HIGH-K,金属栅极,即是metal gate, 合起来,就是HKMG. 这样,HIGH-K材料+金属栅极,就完全取代了二氧化硅氧化物+多晶硅栅极。用水龙头作比方,就是特氟隆皮垫加铜旋钮。 这个改变可不得了,革命性的,令人头痛的栅极漏...
The new 28nm logic compatible RRAM cell consists of two logic standard high-k metal gate CMOS transistors by an optimized composite resistive gate dielectric film TiN/HfO/TiN as a storage node in the cell and as a gate dielectric in the select transistor. Using the cell gate as a source ...
自2015年中芯国际(SMIC)成功量产28nm产品以来,我国集成电路的产业化技术已进入28nm制程的高端主流工艺节点。作为28nm制程的主要技术方向之一,采用“金属栅极(Metal Gate)+高介电常数绝缘层(High-k)”的栅结构(以下简称“HKMG”),能够有效解决栅介质薄弱导致的漏电或多晶硅栅耗尽效应等一系列问题,并可提供较佳...
台积电资料显示,其业界领先的28nm制程技术主要采用High-k Metal Gate (HKMG) 后栅极技术。与先栅极技术相比,后栅极技术提供更多优势,包括更低的漏电流和更好的芯片性能。 相比之下,中国内地的芯片代工厂在28nm制程突破在4年之后,中芯国际在2013年第四季度实现28nm开发,在2015年才量产28nm制程,并于2018年宣布完成28n...
第三，即使是28nm工艺，还可分为早期的28LP (SiON) 和 28HKMG (High K metal gate) 两种。前者沿用40nm的相关技术，在性能上有较大差距，后者才是真正的28nm工艺。根据中芯国际公布的信息显示，其28HKMG工艺2018年才开始批量量产，并且良率也是近两年才提升上来。所以相对于国内的半导体制造业来说，28nm工艺也并...
第三,即使是28nm工艺,还可分为早期的28LP (SiON) 和 28HKMG (High K metal gate) 两种。前者沿用40nm的相关技术,在性能上有较大差距,后者才是真正的28nm工艺。根据中芯国际公布的信息显示,其28HKMG工艺2018年才开始批量量产,并且良率也是近两年才提升上来。所以相对于国内的半导体制造业来说,28nm工艺也并不落...
台积电资料显示,其业界领先的28nm制程技术主要采用High-k Metal Gate (HKMG) 后栅极技术。与先栅极技术相比,后栅极技术提供更多优势,包括更低的漏电流和更好的芯片性能。 相比之下,中国内地的芯片代工厂在28nm制程突破在4年之后,中芯国际在2013年第四季度实现28nm开发,在2015年才量产28nm制程,并于2018年宣布完成28n...