可以预见的是，当光刻机精度逼近物理极限，芯片晶体管结构未来会朝着立体化发展，也就是从以前的平房、二层小楼，变成了高层商品房，在晶体管本身就很小的半导体领域，这或许也是最有效的办法，而未来2nm、1nm工艺芯片的生产，也是基于GAAFET所衍生出来的技术去实现。
有机构预测，3nm芯片相比于5nm芯片，成本可能要贵40%，但实际因为工艺提升，带来的晶体管密度上升后，体现在单颗晶体管上面的成本，则只下降11%，所以3nm是近50年以来，性价比最差的一次提升。那么问题就来了，3nm芯片就已经没几家客户用得起了，性价比如此之低，那2nm、1nm，真的还有必要研发下去么？按照台积...
最近一个月，IBM和台积电更是相继在2nm和1nm 工艺上传出喜讯。受此影响，很多国内芯片巨头都宣布，要加大投入研发更先进的技术，追赶海外企业脚步。不过，中国院士吴汉明却泼了一盆冷水。在第三届全球IC企业家大会上，吴汉明院士就直言，与其追赶先进工艺，在5nm技术上下功夫，不如完全掌握成熟的55nm技术。值得一提的...
此问题可藉由降低通道厚度来改善,随着通道厚度变薄,受量子局限效应(quantum confinement effect)影响使I ON /I OFF随之上升,因闸极控制能力增强使次临界摆幅(SS)下降。 然而当通道厚度小于5nm 时因表面粗糙散射(surface roughness scattering)的影响,导致载子迁移率降低,故需搭配高堆叠、高载子迁移率之锗锡通道,维...
因为需求量巨大的28nm市场才是各大企业未来几年的主战场。美国的2nm芯片技术，台积电的1nm技术，我们不必去跨步追赶，而是要稳步发展，在成熟的工艺方面扎稳脚跟之后，再到先进的工艺领域寻找新突破口，同时我们也不必因为工艺落后而乱阵脚，即便是7nm，在未来10多年里也有着很大的市场空间。关于此事，大家怎么看？
2023年，采用3nm工艺的半导体器件将作为先进半导体工艺进行量产，同时2nm工艺的研发将加速实现。此外，最近有人建议准备1nm工艺，TrendForce报告称，处理尖端工艺的逻辑代工厂之间的竞争正在加剧。2nm工艺计划2025年量产 2nm工艺计划于2025年开始量产，台积电、三星电子、Rapidus等先进工艺代工厂正在加紧努力，以实现这一...
同时，英特尔也在布局与台积电1nm工艺一致的技术。据英特尔的计划，他们将在2030年实现单个封装1万亿个晶体管的目标，与台积电针锋相对。为了实现这一目标，英特尔可能会采用新材料、新技术和新封装方式，以提升晶体管密度和性能。此外，英特尔还可能在制程工艺之外寻求差异化竞争，例如在芯片设计、架构和封装技术等方面...
2021年12月28日消息，台积电首次对外界公布新厂建设投资总额。台积电表示：公司投资8000亿到1兆新台币（换算人民币约1840~2300亿元）在中国台湾省的中科园区建厂，设厂面积近100公顷。除了2纳米工厂外；台积电的1纳米新厂也将在中科园区落脚。有关台积电新厂的更多消息，经济日报报道，台中市长于12月27日表示：台积电...
3nm、2nm以及1nm芯片工厂都来了！台积电：我摊牌了 据悉，台积电美国工厂已经开工建设，预计投资120亿美元，但实际建设成本将会超过120亿美元，预计投产时间为2024年，月产晶圆2万。但在近日，台积电方面传来新消息，情况是这样的。台积电已经正式对外宣布，将会投资2300亿元建设2nm芯片工厂，工厂将落户在台湾省中科园区...
从2nm到1.6nm，再到未来的1nm，台积电始终走在行业前列。2nm工艺不仅采用了更先进的N2P技术，还结合了背部供电的超级电轨架构，大幅提升了性能和能效。而1.6nm的A16制程更是将密度提升至原来的1.1倍，同时功耗降低15%～20%。这些技术上的突破，不仅满足了客户对高性能芯片的需求，也为台积电在未来几年继续...