The proposed SRAM also is driven by an optimal voltage resulting in a decrease of energy dissipation. From SPICE simulation results, we show that the energy dissipation of proposed 1T1M-SRAM with a sinusoidal driving voltage is lower than that of the conventional pseudo-SRAM called 1T1C, and ...
MoSys 创立于1991年,从事用于半导体的创新型内存技术的开发、授权和营销。 MoSys 获得专利的 1T-SRAM 技术可提供其它已推出的内存技术无法比拟的高密度、低功 耗、高速度以及低成本。用于 1T-SRAM 内存的单晶体管存储单元使得该技术在使用相同 的标准逻辑制造工艺时,实现比传统的四个或六个晶体管静态存储器 (SRAM...
成立于1991年,MoSys公司(纳斯达克:MOSY)为半导体公司开发,转让,销售先进的存储器技术。 MoSys获得专利的1T-SRAM 技术是高密度,低功耗,高速度与低成本的结合,这是其他现有的存储器技术所无可比拟的。与传统的4 或6 晶体管静态存储器相比,1T-SRAM 存储器里使用单一晶体管位单元使该技术在同样的标准逻辑生产过程中...
have established a partnership to develop fourth generation memory compilers based on MoSys' 1T-SRAM and Virage's Custom-Touch compiler technologies for TSMC's 0.18- and 0.15-micron standard logic processes. These memory compilers are designed to enable system designers requiring ultra-dense memory...
Z含TRANSPARENT ERROR CORRECTION ?{成功通過中芯國際0.13微米制程驗證。此次驗證成功,使中芯國際能為其客戶提供另一種優質的高密度記憶體,從而擴展了兩公司之間現有的合作。 “MOSYS的0.13微米高密度1T-SRAM-R記憶體通過中芯國際的矽驗證,這可以給我們的客戶提供通過中芯國際0.18及0.13微米邏輯制程驗證的特別記憶體...
have established a partnership to develop fourth generation memory compilers based on MoSys' 1T-SRAM and Virage's Custom-Touch compiler technologies for TSMC's 0.18- and 0.15-micron standard logic processes. These memory compilers are designed to enable system designers requiring ultra-dense memory...
MOSYS在中芯國際0.18微米標準邏輯工藝中進行1T-SRAM記憶體的硅驗證 上海[2003-05-20] (中國上海訊,2003年5月20日)業界領先的高密度SoC 植入記憶體解決方案提供商MoSys (納斯達克股票標識:MOSY)和中國第一家先進的半導體代工廠中芯國際積體電路製造有限公司(中芯國際)共同宣佈,MoSys在中芯國際的0.18微米標準邏輯...
1T1C(1晶体管1电容器)SRAM是一种提供高存储密度同时结合SRAM类似接口的存储器类型。然而,就使用1T1CSRAM代替传统的SRAM而言,仍保留许多兼容性问题。 (a)无效地址问题 不像DRAM器件可以出现“无效地址”情况,SRAM器件的存储器地址总是有效的。由于SRAM芯片不需要恢复和刷新操作,所以所需要的输出总是可用的。然而,...
Fundamentals of coolSRAM-1T Memory IP