The proposed SRAM also is driven by an optimal voltage resulting in a decrease of energy dissipation. From SPICE simulation results, we show that the energy dissipation of proposed 1T1M-SRAM with a sinusoidal driving voltage is lower than that of the conventional pseudo-SRAM called 1T1C, and ...
成立于1991年,MoSys公司(纳斯达克:MOSY)为半导体公司开发,转让,销售先进的存储器技术。 MoSys获得专利的1T-SRAM 技术是高密度,低功耗,高速度与低成本的结合,这是其他现有的存储器技术所无可比拟的。与传统的4 或6 晶体管静态存储器相比,1T-SRAM 存储器里使用单一晶体管位单元使该技术在同样的标准逻辑生产过程中...
MoSys 创立于1991年,从事用于半导体的创新型内存技术的开发、授权和营销。 MoSys 获得专利的 1T-SRAM 技术可提供其它已推出的内存技术无法比拟的高密度、低功 耗、高速度以及低成本。用于 1T-SRAM 内存的单晶体管存储单元使得该技术在使用相同 的标准逻辑制造工艺时,实现比传统的四个或六个晶体管静态存储器 (SRAM...
MOSYS獲得專利的1T-SRAM 技術是高密度,低功耗,高速度與低成本的結合,這是其他現有的記憶體技術所無可比擬的。與傳統的4 或6 電晶體靜態記憶體相比,1T-SRAM 記憶體裏使用單一電晶體位元單元使該技術在同樣的標準邏輯生產過程中具備更高的密度。1T-SRAM 技術也提供與傳統靜態記憶體相關的,適於隨機地存取週期的刷...
have established a partnership to develop fourth generation memory compilers based on MoSys' 1T-SRAM and Virage's Custom-Touch compiler technologies for TSMC's 0.18- and 0.15-micron standard logic processes. These memory compilers are designed to enable system designers requiring ultra-dense memory...
MOSYS在中芯國際0.18微米標準邏輯工藝中進行1T-SRAM記憶體的硅驗證 上海[2003-05-20] (中國上海訊,2003年5月20日)業界領先的高密度SoC 植入記憶體解決方案提供商MoSys (納斯達克股票標識:MOSY)和中國第一家先進的半導體代工廠中芯國際積體電路製造有限公司(中芯國際)共同宣佈,MoSys在中芯國際的0.18微米標準邏輯...
CoolSRAM-1T是Novelics公司的MemQuest存储器编译器产品,能提供高可靠性、高生产力和高效性。该编译器能产生任何宏指令和配置。 通过使用coolSRAM-1T,用户可以降低芯片尺寸和成本。Novelics公司的coolSRAM-1T存储器IP能提供超过传统SRAM模块两倍的密度。CoolSRAM-1T的结构也降低了漏电损耗。
Fundamentals of coolSRAM-1T Memory IP
1T1C SRAM(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN1823390A(43)申请公布日 2006.08.23 (21)申请号CN200480020439.5 (22)申请日2004.07.14 (71)申请人兹莫斯技术有限公司 地址美国加利福尼亚 (72)发明人孙正德 (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司 代理人徐谦 (51)...
SinOne SC92F84H3/84H9/84H2 高速 1T 8051 内核 Flash MCU ,1 Kbytes SRAM ,16 Kbytes Flash,128 bytes 独立 EEPROM, 20 通道可低功耗高灵敏度触控电路,12 位 ADC,5 个定时器,乘除法器,UART,SSI , Check Sum 校验模块 1 总体描述 SC92F84H3/84H9/84H2(以下简称 SC92F84HX)是一颗增 强型的高速...