SRAM有着很高的运行速度,但是SRAM的存储单元是由六个晶体管组成的,在大规模集成电路中SRAM存储阵列将会占据很大的面积。此外SRAM存储单元中晶体管需要相互匹配,这样就会导致SRAM很难按比例缩小。由一个晶体管和一个电容组(1T-1C)成的嵌入式DRAM,不仅具有较快的运行的速度还具有更小的单元面积。然而DRAM需要复杂的堆...
MoSys公司的1T-SRAM-R技术成功通过中芯国际0.13um制程验证 MoSys公司1T-SRAM-R中芯国际公司0.13um制程摘要:VIP电子工业专用设备
成立于1991年,MoSys公司(纳斯达克:MOSY)为半导体公司开发,转让,销售先进的存储器技术。 MoSys获得专利的1T-SRAM 技术是高密度,低功耗,高速度与低成本的结合,这是其他现有的存储器技术所无可比拟的。与传统的4 或6 晶体管静态存储器相比,1T-SRAM 存储器里使用单一晶体管位单元使该技术在同样的标准逻辑生产过程中...
Four different operation modes: conventional MOSFET, steep slope FET, multi-faceted volatile memory (1T-DRAM and 1T-SRAM), and non-volatile memory are ... DI Moon,JS Oh,SJ Choi,... - Electron Devices Meeting 被引量: 12发表: 2012年 State of the Art of DRAM, SRAM, Flash, HDD and MR...
利技术利用以进一步拓展 MoSys 的受到欢迎的 1T-SRAM 技术的采用。 根据双方达成的合作协议,芯原将把 1T-SRAM 能力纳入其知识产权 (IP) 产品组合 当中,用于客户在多个代工厂的系统芯片设计。 芯原是一家无晶圆 ASIC 设计代工厂,致力于提供同类最优垂直平台解决方案、系统 ...
Z含TRANSPARENT ERROR CORRECTION ?{成功通過中芯國際0.13微米制程驗證。此次驗證成功,使中芯國際能為其客戶提供另一種優質的高密度記憶體,從而擴展了兩公司之間現有的合作。 “MOSYS的0.13微米高密度1T-SRAM-R記憶體通過中芯國際的矽驗證,這可以給我們的客戶提供通過中芯國際0.18及0.13微米邏輯制程驗證的特別記憶體...
再来打个比方，如果CPU的缓存（SRAM）响应延迟是1，那么内存（DRAM）就是它的10倍，SSD是100000倍，HDD是10000000倍。然而傲腾是100倍，也就仅仅是内存的10倍，同时保留了非极易失性（NON- VOLATILE），所以可行性很高。接着，我们进入正题，小米游戏本安装傲腾。我拿到这台机子先是看了下BIOS，但是图形化程度极...
(中国上海讯,2003年5月20日)业界领先的高密度SoC 植入存储器解决方案提供商MoSys (纳斯达克股票标识:MOSY)和中国第一家先进的半导体代工厂中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)共同宣布,MoSys在中芯国际的0.18微米标准逻辑工艺中,已完成1T-SRAM存储器技术的硅验证。该制造里程碑的奠定,使中芯国际客户可以更有信...
3、硬盘缓存:一般指高速缓冲存储器,是存在于主存与CPU之间的一级存储器, 由静态存储芯片(SRAM)组成,容量比较小但速度比主存高得多, 接近于CPU的速度。 简单来讲,硬盘缓存主要负责三个功能: ①对数据进行预读取; ②对写入动作进行缓存; ③是临时存储最近访问过的数据。