型号 VNS1NV04DPTR-E 深圳市达芯源科技有限公司是一家专业化的电子元器件供应商,具有多年集成IC、二三极管销售经验,是国内外多家电子厂商在中国的代理商及特约经销商。公司在深圳、香港备有大量现货和国内外工厂直接货源,以诚信,薄利多销为经营理念,竭诚为广大用户提供服务。 公司经营的品牌齐全,产品应用领域涵盖...
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)VNS1NV04DP-E是由两个单片OMNIFET II芯片封装在标准SO-8封装。OMNIFET II是在STMicroelectronics VIPower中设计™ M0-3技术:它们旨在替代DC至50KHz的标准功率MOSFET应用。内置热关机,线性电流限制和过电压钳位保护芯片在恶劣环境中的应用。故障反馈可通过监控输入引脚处...
VNS1NV04DPTR-E 全球供应商 全球供应商 (12家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -205立即发货1RMB ¥税8.0868.0868.0868.0868.086购买 英国 13395 立即发货 - RMB ¥ ...
VNS1NV04DP-E是由两个部件组成的装置单片OMNIFET II芯片封装在标准SO-8包装。OMNIFET II是采用意法半导体VIPower设计™ M0-3技术:它们旨在取代直流至50KHz的标准功率MOSFET应用。内置热关机,线性限流和过压钳位保护芯片在恶劣环境下工作。可以通过监控输入引脚上的电压。其他型号 BTT6200-4ESA BUK7Y3R5-40HX B...
深圳市明佳达电子,星际金华(供应及回收)原装库存器件:NTUD3174NZT5G(MOSFET晶体管) / VNS1NV04DPTR负载驱动器。NTUD3174NZT5G——20V,2 N-通道MOSFET晶体管,SOT-963-6 型号:NTUD3174NZT5G 封装:SOT-963-6 类型:MOSFET晶体管 NTUD3174NZT5G——产品属性:...
1 RMB ¥ 税 14.240 12.836 10.371 7.459 7.459 购买 富昌 美国06-8100RMB ¥税--4.3904.3904.390询价 显示全部 VNS1NV04DP-E 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 额定功率 4 W 输出接口数 2 输出电流 1.7 A 供电电流 0.1 mA
ST《VNS1NV04 VNS1NV04DPTR》电源开关/驱动器 1:1 N通道 1.7A 批次:18+ 型号:VNS1NV04DPTR 封装:SOP8 描述: VNS1NV04DP是由两个器件组成的器件单片OMNIFET II芯片标准的SO-8封装。OMNIFET II是在ST VIPower™M0-3中设计技术:它们旨在替代直流至50KHz的标准功率MOSFET应用程序。内置热关断,线性电流限...
型号 VNS1NV04DPTR-E PDF资料 电源管理芯片-电源负载开关-VNS1NV04DPTR-E-ST(意法)-SMD-23+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户...
系列: VNS1NV04DP-E 资格: AEC-Q100 湿度敏感性: Yes 工作电源电流: 150 uA 单位重量: 150 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示...
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