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12N65场效应管是一款N沟道增强型场效应管,其参数如下: 1.电压:600V。 2.电流:12A。 3.功率:600W。 4.类型:N沟道增强型。 该管子适用于高速开关电路,可应用于电机控制、UPS、逆变器、电池保护等场景。 关于代换,可以使用其他电压和电流规格相近的N沟道增强型场效应管进行替换,如13N50、15N60等。在替换时...
AOTF12N65 AOS/万代 晶体管 N沟道MOS管 650V高电压场效应管TO-220F AOTF12N65 100000 AOS/万代 TO-220F 新批次 ￥0.1500元1~-- 个 东莞市鑫江电子有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 PINGWEI平伟12N65B贴片MOS管低阈值P沟道场效应晶体封装TO-263-2L 12N65B 999999 PINGWEI(平伟...
12n65场效应管是一种功率场效应管,它主要用于高频和高速开关电路中。它的主要参数包括: 1.最大漏极电压(Vds):一般在650V左右。 2.最大漏极电流(Id):在一定的负载下,一般为12A左右。 3.最大功率(P):有时会在大功率场合使用,一般在100W左右。 4.栅极静态电压(Vgs(th)):在12n65场效应管导通前,需要给...
ASEMI场效应管12N65参数: 型号:12N65 漏源电压(VDSS):650V 连续漏极电流(ID):12A 栅极阈值电压(VGS(TH)):±30V 功耗(PD):140W 漏源漏电流(IDSS):10uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):4V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.68Ω 输出电容(COSS):150pF ...
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