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场效应管12n60的阈值电压约为2V ，是导通的临界电压。静态电流在微安级别 ，功耗较低。功率耗散最大值可达200W ，限制了其功率使用范围。热阻参数对于散热设计至关重要 ，约为0.625℃/W 。源漏击穿电压为600V ，确保安全工作的关键参数。栅源击穿电压一般为±30V ，防止栅极损坏的指标。脉冲漏极电流可达到24A ...
直插MOS管现货 10N60 12N60 18N60 20N60 大功率场效应管 深圳市坤廷电子有限公司17年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.20 MOS场效应管12N60 TO-220F 大功率开关电源 N通道逆变器国产 深圳市杰兴伟业电子有限公司10年 月均发货速度:暂无记录 ...
FQPF12N60C TO-220F 场效应管MOS元器件现货 12N60 深圳市千核半导体有限公司 4年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.28 成交8050个 台产大芯片 FQPF12N60C TO-220F 直插场效应管 600V 12A 品质保证 深圳市茂源微半导体有限公司 8年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田...
12n60场效应管 18小时前 12N60场效应管是一种常见的功率场效应管,具有许多优点。它具有低导通电阻,可以实现高效率的功率放大。它具有较低的开启电压,可以实现快速的开关速度。12N60场效应管还具有良好的温度特性和可靠性,适用于各种工作环境。 12N60场效应管的结构也值得关注。它由源极、漏极和栅极组成。源...
KIA12N60H场效应管专为高压、高速功率开关应用而设计,可以替代12N60型号应用在开关电源、LED驱动、储能电源中;漏源击穿电压600V,漏极电流12A,RDS(on)= 0.53Ω @ VGS=10V,低导通电阻,超低栅极电荷52nC,高效率低损耗;具有快速切换能力、改进的dv/dt能力、指定的雪崩能量,稳定可靠;封装形式: TO-220、220F。
场效应管12N60是一种高性能的电子元器件,具有出色的电气特性。以下是12N60的主要参数: 1. 最大漏源电压(Vds):这是指场效应管在正常工作条件下能够承受的最大漏极与源极之间的电压。对于12N60来说,这个值通常为600V。 2. 最大栅源电压(Vgs...
12n60f是一款常用的场效应管，属于N沟道增强型MOSFET，适合高压高速开关场景。下面分模块拆解它的参数细节，结合实际应用聊聊怎么选型和使用。最大漏源电压Vdss是600V，这个参数决定管子能承受多高的电压。普通开关电源或逆变器输入电压在300V以下，600V足够应对浪涌和尖峰，但工业环境电压波动大，留点余量更安全。漏...
FHF12N60C FHF12N60D FHF12N60W TO-220 飞虹MOS场效应管电源 广州广新电子有限公司 3年 月均发货速度: 暂无记录 广东 广州市 ¥1.89 12N60C 场效应管 12A600V 液晶常用MOS 全新原装 直插 FQP12N60C 深圳市华芯捷电子有限公司 4年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.35...