FET 类型 N 通道 漏源电压(Vdss) 600 V Vgs(最大值) ±30V 功率耗散(最大值) 225W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 型号 FQP12N60C PDF资料 电子管-场效应管-FQP12N60C-ON/...
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FQPF12N60C N沟道 MOS场效应管 直插TO220F 晶体管 IC芯片 电子元器件 FQPF12N60C 6300 FAIRCHILD TO-220F 新年份 ￥0.1700元10~49 个 ￥0.1500元50~99 个 ￥0.1300元100~-- 个 深圳市鸿胜芯电子有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 ...
FQP12N60C 12N60C 场效应管MOS 直插三级管TO-220 12A600V 现货 深圳市盛誉永恒科技有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥10.00 XC2151A580MR-G XC31PNS0052APR 直插贴片二三极管IC 电子封装元 广州广新电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
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12n60c产品参数 品牌 正品 封装 TO-220 批号 2014+ 数量 500000 是否跨境货源 否 封装形式 12N60C3D 材料 硅(Si) 应用范围 放大 种类 其他 了解12n60c详情 深圳市全源通电子有限公司 店铺信息 成立时间 2008-07-30 注册资本 100万元 主营商品: 读写芯;开发板;y33贴片;保护管;锂电池;传感...
12n60c场效应管代换? 12N60C可以替代2N60的。2N60是功率场效应管参数是:硅、500V、2A、55W、RDS(on) ≤ 5.1 Ω、带阻尼;12N60C也是功率场效应管,参数:硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。所以12N60C是可以代换2N60的。
ppFAIRCHILD/仙童型号FQP12N60C 种类缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道 导电方式型用途L/功率放大 封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料N-FET硅N沟道 商品详情 飞捷介绍: 飞捷电子是的功率器件分销商,致力于推广 仙童、英飞凌、IR、ON、TRINNO、美格纳、华晶、士兰微,硅动力、OB等国内外zmpp功率器件,主要经营IGBT模块,整流二j管...
型号 FQPF12N60C 技术参数 品牌: FSC 型号: FQPF12N60C 封装: TO-220F 批号: BH12 数量: 29 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 8.5V 长度: 4.8mm 宽度: 1.8mm 高度: 2.4mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
12N60c 种类 绝缘栅(MOSFET) 所在地 广州市越秀区惠福西路167、169、171号首层理力电子城C10号铺 联系电话 86 020 83360769 手机号 13760726200 经理 杨海滨请说明来自顺企网,优惠更多 让卖家联系我 产品详细介绍 代理国际知名品牌:atmel,ir,nxp,on,st,长电,toshiba,仙童广州滨耀电子有限公司本着“质量第一、...