2019年12月4日17时10分,“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。 陈星弼,1931年1月出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在电子科技大学任教,1999年当选中国科学院院士。他是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明...
陈星弼的发明突破了这个瓶颈，使功率器件的性能得到全面突破性提高。1998年，西门子公司用陈星弼发明的方法，制作成新的功率器件，在国际上引起轰动，被认为是近二十年来功率器件的一个新里程碑。“还有其他公司在那段时间都来和我联系过，这些大公司机制先进、实力雄厚、条件充足，制造这种器件的能力远高于我们。”陈星...
万丈高楼平地起，面向全新领域，陈星弼开始一砖一瓦搭建基础平台。1983年，他推动建立微电子研究所，带领大家忘我地投入科研工作。每天晚上钟声敲过十二下，学校要关门了，陈星弼才肯离开实验室，一路疾走，回到家中继续干。有时工作到凌晨两三点，有时通宵达旦，直到东方发白，才短暂休息几个小时。此时的陈星弼已年...
悼念！中科院院士陈星弼去世 2019年12月4日17时10分 国际著名半导体器件物理学家、微电子学家、 中国科学院院士、电子科大教授陈星弼 因病医治无效 在四川成都逝世 享年89岁 陈星弼院士 1931年1月出生于上海 1952年毕业于国立同济大学电机系 先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作 1956年开始在电子...
2019年12月4日17时10分，浦江籍中科院院士、“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。 1931年1月28日，陈星弼出生在一个官宦之家，祖籍浙江省浦江县清塘村。祖父曾为清朝武举人，父亲陈德征因家庭贫穷靠勤工俭学就读于杭州之江大学化学系。母亲徐呵梅是浙江余姚人，由于小时聪颖过人，外祖父不仅特许...
我国功率半导体领域的领路人、九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效,12月4日17时10分在四川成都逝世,享年89岁。 陈星弼1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江浦江,1947年至1952年就读于同济大学电机系,先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)工作。1999年当选为中国科学...
如陈院士所言,他的一生,正是以科学服务人类的一生。陈星弼院士的超结发明专利打破了传统“硅极限”,该发明专利成功转让并实现产业化,其延伸产品惠及人类社会生活的方方面面。 在主楼A1-111档案馆举办的陈星弼院士生平展,不仅详细介绍和展示了陈星弼...
2020 - 武嘉瑜,易波,陈星弼 - 《微电子学》 - 被引量: 0 收藏相关文章 A Novel No Miller Plateau SOI-LIGBT With Low Saturation Current and Improved Switching Performance 2020 - Bingke Zhang,Moufu Kong,Bo Yi,... - 《IEEE Transactions on Electron Devices》 - 被引量: 0 收藏相关文章 A Nove...
陈星弼目前是成都成电知力微电子设计有限公司直接控股股东,持股比例为72.88%;陈星弼间接持股成都立芯微电子科技有限公司、投资占比达10%;目前陈星弼投资成都成电知力微电子设计有限公司最终收益股份为72.88%;三、陈星弼的商业合作伙伴:基于公开数据展示,陈星弼目前有10个商业合作伙伴,包括朱明、王露陶、李会刚等。